失效分析样品处理方法以及失效分析方法技术

本发明专利技术提供一种失效分析样品处理方法以及失效分析方法，失效分析样品处理方法包括：将测试样品去层至第一金属层，保留完整的测试结构；将测试样品接地，导走第一金属层表面的电荷；对测试样品的失效位置进行预定位；将测试样品研磨至第二金属层的上方，并在测试样品研磨后的表面镀上导电层；定位出失效位置，并形成标记。如此配置，通过将测试样品研磨至第二金属层，并在测试样品的表面镀上一层导电层，能够及时导走测试样品表面积累的电荷，避免金属线因电荷积累而发生烧毁现象，从而能够保留失效位置的原始形貌，能够更精准地找到失效原因；且导电层不影响SEM机台和TEM机台的观测，提升了失效分析的成功率，降低了失效分析的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是一种失效分析样品处理方法以及失效分析方法。

技术介绍

1、半导体制造工艺分为前段器件工艺和后段金属互联工艺，后段金属互联层的作用是将前段器件引出以便进行测试或者工作。在半导体制造过程中，后段金属互联线经常会出现短路失效或开路失效，主要是源自于设计问题和工艺问题。为了评估设计结构和监控线上工艺稳定度，需要将复杂的产品结构单独提取出来或者以此结构为单元重组形成重复的、大面积的、便于测试的结构，通过对这些测试结构的电性测试得到大量相应的电性参数，对这些电性参数进行分析以提前发现问题并解决问题，这种结构称为测试结构(test-key)。测试结构几乎遍及制造工艺中的所有层次，具有多种结构，并具有易于测试和易于失效分析等特点。

2、通常测试结构是由上下两层金属线构成，下层为cd(特征尺寸)较小的超长金属线，由多条金属线并列重复密集排布。在测试结构中间排布的上层金属线为dummy金属线，在测试结构边缘通过通孔将下层的金属线引出，形成不同的链式结构后分别连接到不同的垫盘(pad)上，用于监控金属线本身的断路或者金属线之间的短本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种失效分析样品处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的失效分析样品处理方法，其特征在于，所述将所述测试样品接地，导走所述第一金属层表面的电荷，包括：

3.如权利要求1所述的失效分析样品处理方法，其特征在于，所述对所述测试样品的失效位置进行预定位，包括：

4.如权利要求3所述的失效分析样品处理方法，其特征在于，利用纳米探针机台对所述第一金属层进行AVC测试，在所述第一金属层上找出VC异常点，并将所述失效位置定位至其中一根金属线上。

5.如权利要求4所述的失效分析样品处理方法，其特征在于，将所述失效位置定位至某一根金属线后，将...

【技术特征摘要】

1.一种失效分析样品处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的失效分析样品处理方法，其特征在于，所述将所述测试样品接地，导走所述第一金属层表面的电荷，包括：

3.如权利要求1所述的失效分析样品处理方法，其特征在于，所述对所述测试样品的失效位置进行预定位，包括：

4.如权利要求3所述的失效分析样品处理方法，其特征在于，利用纳米探针机台对所述第一金属层进行avc测试，在所述第一金属层上找出vc异常点，并将所述失效位置定位至其中一根金属线上。

5.如权利要求4所述的失效分析样品处理方法，其特征在于，将所述失效位置定位至某一根金属线后，将所述样品研磨至所述第二金属层的上方，并在所述测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵新伟，段淑卿，高金德，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：