【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化铝陶瓷基板制备，特别是涉及一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法。
技术介绍
1、氮化铝陶瓷基板是一种新型的高性能集成电路基板材料，氮化铝陶瓷基板的导热系数范围为170至320w/m·k，比传统的氧化铝基板高5-10倍，这种高热导率使其在高性能电子系统中能够快速散热，有效提升电子设备的效率和寿命，氮化铝陶瓷在室温下具有超过1013ohm cm的高电阻率，使其具备极好的电绝缘性能，这可以有效防止电路短路，提高电子设备的整体安全性，氮化铝陶瓷能够在高达1000℃的温度下保持其强度和稳定性，这种耐火特性使其能在极端温度条件下可靠运行，不会变形或劣化，氮化铝陶瓷对多种化学品具有高度耐受性，在强酸、强碱环境下也能保持稳定，这种耐化学性使其在腐蚀环境中依然能够稳定工作，氮化铝陶瓷基板重量轻且结构紧凑，有助于减轻电子设备的总体重，因此氮化铝陶瓷基板成为电子、光电和航空航天领域不可或缺的材料，然而现有的氮化铝陶瓷基板在制备时高温烧结的制备方法和制备条件不同都会对氮化铝陶瓷基板的参数造成影响，有鉴于此，特提出本专利技术。
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【技术保护点】
1.一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于：所述氮化铝陶瓷基板是通过改性后的氮化铝粉末混合氧化锆粉末和氧化钇粉末经球磨制成浆料后添加有机介质，随后通过流延成型和排胶处理的操作后制成素坯，然后将素坯进行高温烧结制成半成品，最后将半成品进行后处理制备而成。
2.一种氮化铝陶瓷基板的制备方法，根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的铝的化合物为三氧化二铝，将三氧化二铝、碳和氮气按照1:3:1的比例在1600℃-1800℃的温度下反应5-6小时，从而制...
【技术特征摘要】
1.一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于：所述氮化铝陶瓷基板是通过改性后的氮化铝粉末混合氧化锆粉末和氧化钇粉末经球磨制成浆料后添加有机介质，随后通过流延成型和排胶处理的操作后制成素坯，然后将素坯进行高温烧结制成半成品，最后将半成品进行后处理制备而成。
2.一种氮化铝陶瓷基板的制备方法，根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的铝的化合物为三氧化二铝，将三氧化二铝、碳和氮气按照1:3:1的比例在1600℃-1800℃的温度下反应5-6小时，从而制成氮化铝粉末，将制成的氮化铝粉末与氧化锆粉末和氧化钇粉末按照重量比为92:5:3的比例进行混合，从而完成二次改性。
4.根据权利要求2所述的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：将所述步骤一中制备的氮化铝混合粉末与炭黑、氧化铝、氧化镧按照比例1:0.4:0.05的比例加入球磨机中，随后向球磨机中添加适量的乙醇，随后进行初次球磨8-12小时，完成混合浆料的制备，随后向混合浆料中添加无规聚丙烯和聚甲基丙烯酸酯，混合浆料、无规聚丙烯和聚甲基丙烯酸酯的比例为100:3:2，然后再进行球磨6-10小时，完成流延浆料的制备。
5.根据权利要求2所述的氮化铝陶瓷基板的...
【专利技术属性】
技术研发人员：施俊男，江永平，周健操，蒙碧青，
申请(专利权)人：湖北华清新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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