【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件、存储系统及电子设备。
技术介绍
1、双向阈值开关(ovonic threshold switch，ots)是基于双向材料(例如，硫属化合物)设计的开关器件，目前，ots已被用于各种可编程电阻存储器中，尤其是仅选通存储器(selector-only-memory，som)中。在som中，ots选通材料作为存储介质，以实现存储器的读写功能。
2、但是，在采用ots选通材料作为存储层的som存储器中，由于存储单元在存储层的侧壁处缺乏有效保护，使得存储层的侧壁在制程中易发生氧化和刻蚀损伤等不良现象，在测试和使用过程中容易产生漏电，从而导致存储层的电性受到影响。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种半导体器件、存储系统及电子设备，能够提高对存储层的第一侧面的保护作用，降低存储层发生氧化、刻蚀损伤以及漏电现象的概率，改善半导体器件的阈值转变电压漂移现象，提高半导体器件的良品率。
2、本技术实施例提供一种半导体器件，其包括第一电极、存储
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括第一电极、存储层以及第二电极；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一保护层围绕所述存储层设置并覆盖于所述第一侧面。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极包括朝向所述存储层的第三表面以及连接于所述第三表面的第二侧面，所述第二电极包括朝向所述存储层的第四表面以及连接于所述第四表面的第三侧面，所述第一保护层还覆盖于所述第二侧面以及所述第三侧面，并围绕所述第一电极以及所述第二电极设置。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第二保护...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括第一电极、存储层以及第二电极；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一保护层围绕所述存储层设置并覆盖于所述第一侧面。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极包括朝向所述存储层的第三表面以及连接于所述第三表面的第二侧面，所述第二电极包括朝向所述存储层的第四表面以及连接于所述第四表面的第三侧面，所述第一保护层还覆盖于所述第二侧面以及所述第三侧面，并围绕所述第一电极以及所述第二电极设置。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第二保护层，所述第二保护层位于所述第一保护层远离所述存储层的一侧。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一保护层包括第一保护子层及第二保护子层，相对且间隔设置的两个所述第二保护子层位于相对且间隔设置的两个所述第一保护子层之间，所述第一电极、所述存储层以及所述第二电极位于所述第一保护子层及所述第二保护子层形成的空腔内，所述第一保护子层及所述第二保护子层分别覆盖...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈彬，高国勤，杨红心，周凌珺，骆金龙，贺祖茂，刘峻，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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