半导体器件的形成方法技术

一种半导体器件的形成方法，包括：衬底包括存储区，存储区上具有第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的沟道和第二晶体管的沟道的导电类型相反；在第一晶体管和第二晶体管上形成应力叠层；对位于第一晶体管和第二晶体管上的应力叠层进行退火处理；在退火处理后，去除应力叠层。本方案不需要进行较大改动且无需增加额外的电路与芯片面积，节约工艺成本，并且对表面形成有应力叠层的第一晶体管和第二晶体管均进行退火处理，第一晶体管和第二晶体管之间不存在应力隔断，降低了存储区上的器件的错配的概率，减小器件电路供电电压的最小值；此外，本方案提升存储器件的静态噪声容限和写噪声容限，使得存储器件的工作窗口增大，降低了存储器件的失效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体器件的形成方法。

技术介绍

1、随着便携式电子设备的普及和工艺节点的进步，对芯片能耗、环境适应以及抗干扰能力提出了更高的需求。静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory，简称sram)器件中电路供电电压的最小值(volt current condenserminimum，简称vccmin)作为衡量器件良率的重要参数，表示静态随机存取存储器件的最小正常工作电压，其数值越低代表静态随机存取存储器允许的电压波动范围越大，在高低温环境可靠性及能耗方面也更有优势。

2、然而，当前的静态随机存取存储器还存在不足。

技术实现思路

1、本专利技术解决的问题是如何在不增加工艺成本且不增加额外的电路与芯片面积的同时，减小半导体器件电路供电电压的最小值，并且提升存储器件的静态噪声容限和写噪声容限，降低器件的失效率。

2、为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区，所述存储区上具有第一晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第一晶体管和所述第二晶体管上形成应力叠层的步骤包括：

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述应力叠层包括：缓冲层和位于所述缓冲层上的应力材料层。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅；所述应力材料层的材料包括氮化硅。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围为：40埃～100埃；所述应力材料层的厚度范围为：250埃～300埃。<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第一晶体管和所述第二晶体管上形成应力叠层的步骤包括：

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述应力叠层包括：缓冲层和位于所述缓冲层上的应力材料层。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅；所述应力材料层的材料包括氮化硅。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围为：40埃～100埃；所述应力材料层的厚度范围为：250埃～300埃。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火处理为尖峰退火。

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【专利技术属性】
技术研发人员：何正临，郭振强，滕赛楠，肖敬才，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：