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本技术公开了一种半导体器件、存储系统及电子设备;半导体器件包括第一电极、存储层以及第二电极;存储层包括相对设置的第一表面和第二表面、以及连接于第一表面和第二表面之间的第一侧面,第一电极位于第一表面的一侧,第二电极位于第二表面的一侧;其中,存...该专利属于新存科技(武汉)有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过新存科技(武汉)有限责任公司授权不得商用。
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本技术公开了一种半导体器件、存储系统及电子设备;半导体器件包括第一电极、存储层以及第二电极;存储层包括相对设置的第一表面和第二表面、以及连接于第一表面和第二表面之间的第一侧面,第一电极位于第一表面的一侧,第二电极位于第二表面的一侧;其中,存...