一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法，采用结构相同但存在特征区别的第一构件和第二构件进行对比测试，其中，第二构件存在的区别特征在于具备若干个以矩阵布置于第一沟槽所环绕的区域内的第二沟槽，对第一构件和第二构件进行离子注入，将离子注入后的第一构件和第二构件的总电阻进行对比，以快速获取监测沟槽MOS的刻蚀深度的偏差情况，无需对芯片进行破坏性的解剖测试，可以监测到每一片晶圆的指定位置区域的刻蚀深度，相比于传统方法的监测频次和范围更加完善。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体检测，尤其涉及一种沟槽mos的刻蚀深度的监测装置及方法。

技术介绍

1、mosfet芯片是一种半导体分立器件，按照其物理结构，可将mosfet芯片分类为平面mos和沟槽mos两个大类。沟槽mos的体区和源区，是通过离子注入工艺、然后高温退火工艺形成的扩散区，源区通常位于体区的表层之中，源区的扩散深度小于体区的扩散深度，体区的掺杂类型与衬底和源区的掺杂类型相反，以n沟道mosfet为例，衬底的掺杂类型为n型，体区的掺杂类型为p型，源区的掺杂类型为n型。

2、沟槽mos的多晶硅栅的形成工艺，包括多晶硅的淀积和刻蚀工艺，其中多晶硅刻蚀工艺即把沟槽之外的多晶硅全部去除掉，而保留沟槽之中的多晶硅作为沟槽mos的栅极。在实践工艺中，为确保沟槽之外的多晶硅完全去除干净，通常会采用过刻蚀的方式，因此沟槽之中保留的多晶硅的上表面通常比硅平面低一些，即存在高度差，此高度差也就是刻蚀深度，沟槽mos的多晶硅刻蚀深度，会影响源区的掺杂深度，进而影响到沟槽mos的阈值电压。

3、现有对沟槽mos的刻蚀深度检测是采用抽样解剖芯片，这种方法存本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置，其特征在于，所述第二沟槽(500)为正方形沟槽，每个所述第二沟槽(500)之间等距。

3.根据权利要求1所述的一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置，其特征在于，所述第二沟槽(500)的数量为个，并且以N行N列的形式进行矩阵布置于所述第一沟槽(400)所围绕的区域内，其中，N>1，所述N为正整数。

4.根据权利要求1所述的一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置，其特征在于，所述第一沟槽(400)包括主环形沟槽(401)以及四个次环形沟槽...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽mos的刻蚀深度的监测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种沟槽mos的刻蚀深度的监测装置，其特征在于，所述第二沟槽(500)为正方形沟槽，每个所述第二沟槽(500)之间等距。

3.根据权利要求1所述的一种沟槽mos的刻蚀深度的监测装置，其特征在于，所述第二沟槽(500)的数量为个，并且以n行n列的形式进行矩阵布置于所述第一沟槽(400)所围绕的区域内，其中，n>1，所述n为正整数。

4.根据权利要求1所述的一种沟槽mos的刻蚀深度的监测装置，其特征在于，所述第一沟槽(400)包括主环形沟槽(401)以及四个次环形沟槽(402)，四个所述次环形沟槽(402)分别接通于所述主环形沟槽(401)的四边，所述接触孔(300)设有四个，并分别对应接通四个所述次环形沟槽(402)所环绕的区域。

5.根据权利要求4所述的一种沟槽mos的刻蚀深度的监测装置，其特征在于，所述主环形沟槽(401)所环绕的区域形状为正方形。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：何昌，张光亚，杨勇，朱勇华，
申请(专利权)人：深圳市美浦森半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：