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本发明公开一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法，采用结构相同但存在特征区别的第一构件和第二构件进行对比测试，其中，第二构件存在的区别特征在于具备若干个以矩阵布置于第一沟槽所环绕的区域内的第二沟槽，对第一构件和第二构件进行离子注入，将离子...
该专利属于深圳市美浦森半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市美浦森半导体有限公司授权不得商用。

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