【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种功率器件的金属结构；本专利技术还涉及一种功率器件的金属结构的制造方法。
技术介绍
1、如图1所示，是现有功率器件的金属结构的结构示意图；现有功率器件的金属结构形成于底层结构101的表面。
2、功率器件形成于底层结构101中，功率器件的电极由金属结构形成。
3、功率器件通常是采用垂直型结构，有三个引脚，分别是栅极，源极和漏极。漏极通过芯片的背面引出，正面是芯片的栅极和源极，所以，源极和栅极由金属结构形成。功率器件需要承受的电流越高，其需要并联的原胞数目更多。器件的金属连线就是在片内把这些原胞的源极和栅极都连接在一起。目前的功率器件通常采用的是1层厚金属。图1中，栅极由金属图形9a组成，源极由金属图形9b组成。金属结构则包括金属图形9a和9b，金属图形9a和9b是由同一金属层进行图形化刻蚀形成。通常，希望金属结构的金属层的厚度越厚，但是金属层的厚度通常在3μm～5μm，继续增加其厚度工艺上变得非常难以实现。因为，金属层的厚度越厚，金属层的沉积工艺和刻蚀工艺的控制...
【技术保护点】
1.一种功率器件的金属结构，其特征在于：金属结构形成于底层结构的表面；至少在第一区域中，所述金属结构包括由n层金属子层的叠加形成的第一叠加结构，n为大于等于2的整数；
2.如权利要求1所述的功率器件的金属结构，其特征在于：k大于等于2时，所述第k层金属子层的刻蚀台阶的内部具有沉积台阶，在所述第k层金属子层的沉积台阶顶部形成有所述第k+1层金属子层的沉积台阶。
3.如权利要求2所述的功率器件的金属结构，其特征在于，还包括：
4.如权利要求2或3所述的功率器件的金属结构，其特征在于：各层所述金属子层的厚度小于等于金属工艺最大厚度；>
5.如权利要...
【技术特征摘要】
1.一种功率器件的金属结构，其特征在于：金属结构形成于底层结构的表面；至少在第一区域中，所述金属结构包括由n层金属子层的叠加形成的第一叠加结构，n为大于等于2的整数；
2.如权利要求1所述的功率器件的金属结构，其特征在于：k大于等于2时，所述第k层金属子层的刻蚀台阶的内部具有沉积台阶，在所述第k层金属子层的沉积台阶顶部形成有所述第k+1层金属子层的沉积台阶。
3.如权利要求2所述的功率器件的金属结构，其特征在于，还包括：
4.如权利要求2或3所述的功率器件的金属结构，其特征在于：各层所述金属子层的厚度小于等于金属工艺最大厚度；
5.如权利要求4所述的功率器件的金属结构，其特征在于：各层所述金属子层的材料包括alsicu。
6.如权利要求5所述的功率器件的金属结构，其特征在于：各层所述金属子层的厚度为3微米～5微米。
7.如权利要求6所述的功率器件的金属结构，其特征在于：各层所述金属子层的厚度为4微米。
8.如权利要求4所述的功率器件的金属结构，其特征在于：所述第k+1层金属子层的刻蚀台阶和所述第k层金属子层的刻蚀台阶之间的距离大于10微米或大于所述第k层金属子层厚度的2倍。
9.如权利要求4所述的功率器件的金属结构，其特征在于：在所述第一叠加结构的边缘区域内部，在部分所述金属子层的选定区域中形成有应力缓解槽(slot)。
10.如权利要求3所述的功率器件的金属结构，其特征在于：所述底层结构包括形成于半导体衬底上的功率器件，所述功率器件包括有源区；
11.如权利要求10所述的功率器...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾大杰，
申请(专利权)人：深圳尚阳通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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