【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件领域，具体地，涉及一种发光二极管封装体及发光装置。
技术介绍
1、一直以来，led封装领域面临的最大问题就是led芯片光电性能的释放。在microled直显应用领域，随着led数量继续上升，对基板平整度、制程精度的要求提升，而cog(chip on glass)技术基于玻璃基板工艺，在平整度、线宽线距、耐热度等方面凸显了其优势，同时得益于巨量转移技术的发展，良率问题得以改善。然而封装结构仍然受困于出光效率问题。
2、为了提高出光效率，在led芯片端通常会采取形成dbr结构、表面粗化等工艺手段对芯片进行处理。在封装端，由于保护层与空气间的折射率差，造成大量光线被“困”在保护层内，这是造成光性能损失的最大原因。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术中micro led芯片封装端在出光效率方面存在的不足，本申请提供一种发光二极管封装体及发光装置，本专利技术的发光二极管封装体中，led芯片的出光面形成为粗化表面，led芯片上方依次形成第一封装层和第二封装层，并...
【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一封装层的折射率介于1.0～1.5。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二封装层的折射率介于1.4～2.0。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的发光装置，其特征在于，所述第二封装层和所述第一封装层的折射率差值介于0.1～0.5。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一封装层的厚度介于5μm～100μm。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二封装层的厚度介于20μ
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一封装层的折射率介于1.0～1.5。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二封装层的折射率介于1.4～2.0。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的发光装置，其特征在于，所述第二封装层和所述第一封装层的折射率差值介于0.1～0.5。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一封装层的厚度介于5μm～100μm。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二封装层的厚度介于20μm～500μm。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括多孔透明层，所述多孔透明层位于所述led芯片和所述第一封装层之间，所述多孔透明层至少覆盖所述led芯片的出光面。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述多孔透明层的折射率小于所述第一封装层的折射率。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，所述多孔透明层的厚度介于0.5μm～20μm。
10.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述多孔透明层为气凝胶或者多孔氧化硅层。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述led芯片包括：
12.根据权利要求11所...
【专利技术属性】
技术研发人员：时军朋，杨显镜，苏紫云，曾志洋，厉正琴，庄松涛，吴嘉维，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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