负极极片、制备方法、二次电池以及用电装置制造方法及图纸

本申请提供了一种负极极片，包括金属层以及位于所述金属层至少一侧的硅界面层，硅界面层包括通式为SiO<subgt;x</subgt;的材料，其中0≤x≤2。硅界面层相比于金属层具有更高的负极电位，能够抑制枝晶的形成生长，利于电池循环性能的提高。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及二次电池，尤其涉及一种负极极片、制备方法、二次电池以及用电装置。

技术介绍

1、近年来，随着二次电池广泛应用于水力、火力、风力和太阳能电站等储能电源系统，以及电动工具、电动自行车、电动摩托车、电动汽车、军事装备、航空航天等多个领域，市场对于二次电池的性能要求也越来越高。

2、相比于常用的负极材料石墨，金属负极(如锂金属)具有更低的电位和更高的理论容量，是十分具有潜力的负极材料。

技术实现思路

1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本申请提供一种负极极片，旨在抑制金属电极上枝晶的形成，提高电池的循环稳定性。

2、本申请的第一方面提供一种负极极片，包括金属层以及位于所述金属层至少一侧的硅界面层，所述硅界面层包括通式为siox的材料，其中0≤x≤2。

3、硅界面层相比于金属层具有更高的负极电位，能够抑制枝晶的形成生长，利于电池循环性能的提高。

4、在任意实施方式中，所述硅界面层包括通式为siox的材料，其中0＜x＜2，可选为0.7＜x＜1.5。</p>

5、硅氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种负极极片，其特征在于，包括金属层以及位于所述金属层至少一侧的硅界面层，所述硅界面层包括通式为SiOx的材料，其中0≤x≤2。

2.根据权利要求1所述的负极极片，其特征在于，所述硅界面层包括通式为SiOx的材料，其中0＜x＜2，可选为0.7＜x＜1.5。

3.根据权利要求1或2所述的负极极片，其特征在于，所述硅界面层的厚度为25nm–1000nm，可选为50nm-200nm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的负极极片，其特征在于，在所述硅界面层的厚度方向上，所述硅界面层靠近所述金属层处的氧含量低于远离所述金属层处的氧含量。

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种负极极片，其特征在于，包括金属层以及位于所述金属层至少一侧的硅界面层，所述硅界面层包括通式为siox的材料，其中0≤x≤2。

2.根据权利要求1所述的负极极片，其特征在于，所述硅界面层包括通式为siox的材料，其中0＜x＜2，可选为0.7＜x＜1.5。

3.根据权利要求1或2所述的负极极片，其特征在于，所述硅界面层的厚度为25nm–1000nm，可选为50nm-200nm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的负极极片，其特征在于，在所述硅界面层的厚度方向上，所述硅界面层靠近所述金属层处的氧含量低于远离所述金属层处的氧含量。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的负极极片，其特征在于，在从靠近所述金属层至远离所述金属层的硅界面层厚度方向上，所述硅界面层依次包括硅层和硅氧层，所述硅层包括单质硅，所述硅氧层包括通式为siox的材料，其中0＜x＜2。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的负极极片，其特征在于，在从靠近所述金属层至远离所述金属层的硅界面层厚度方向上，所述硅界面层依次包括硅氧层和二氧化硅层，所述硅氧层包括通式为siox的材料，其中0＜x＜2。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的负极极片，其特征在于，在从靠近所述金属层至远离所述金属层的硅界面层厚度方向上，所述硅界面层依次包括硅层、硅氧层和二氧化硅层，所述硅层包括非晶硅，所述硅氧层包括通式为siox的材料，其中0＜x＜2。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的负极极片，其特征在于，在从靠近所述金属层至远离所述金属层的硅界面层厚度方向上，所述硅界面层依次包括siox1层、siox2层……sioxn层，其中0＜x1＜x2<……＜xn<2，n≥2。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的负极极片，其特征在于，所述负极极片满足以下条件的至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹钺，淡江雷，杜鑫鑫，曾炯，
申请(专利权)人：宁德时代新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：