一种光刻胶组合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种光刻胶组合物及其应用，光刻胶组合物包括如下组分：酚醛树脂、光产酸剂、粘附性增强剂和溶剂；粘附性增强剂包括含有醚键的三聚氰胺树脂和/或羟基吡啶酮。本发明专利技术的光刻胶组合物无需使用光敏剂，具有曝光时间短和粘附性强的特点，可以采用g/i‑线和g,h,i‑宽谱曝光光源，形成的涂层具有高分辨率、高感光性及优秀的抗刻蚀性能等优点，而且可以采用普通的剥离液进行去胶，剥离能力强；光刻胶组合物具有多种负性光刻胶的优点和特性，同时改善了现有负性光刻胶的不足，使用方便可应用于半导体中。本发明专利技术的实施例还提供了光刻胶组合物在半导体中的应用，光刻胶组合物在半导体中的涂层的厚度为3‑10μm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种光刻胶组合物及其应用，特别涉及一种负性光刻胶组合物及其应用。

技术介绍

1、光刻胶又称为光阻，根据其光反应性质的不同可分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶受到紫外光辐射的部分发生溶解性变化，在显影液中溶解，而未受到光辐射的部分则保留在基材上形成图案；负性光刻胶则正好相反，受到光辐射的部分在显影液中不溶而留在基材上，未受到光辐射的部分则溶解在显影液中，从而形成图案。

2、正性光刻胶具有优秀的分辨率、对金属基材的良好粘附性、优秀的抗蚀刻性能，以及良好的图案均一性，因此广泛应用于半导体和平板显示制造工艺。其使用工艺包括如下几个步骤：首先将胶涂覆在硅片或玻璃基材上，然后使用热板在90～110℃温度范围内进行软烘，以去除其包含的有机溶剂，接着使用曝光设备进行曝光，曝光后再次使用热板进行热烘，以消除在曝光过程中产生的驻波效应(此热烘称为曝光后烘烤，简称peb)。最后经2.38％浓度的四甲基氢氧化铵溶液显影，从而完成在基材上制作所需的图案。然而正性光刻胶也有明显的局限性，很难应用于半导体和显示面板制造中的厚涂胶工艺，因为随本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物包括如下组分：酚醛树脂、光产酸剂、粘附性增强剂和溶剂；

2.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物不包括光敏剂。

3.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述含有醚键的三聚氰胺树脂的结构式如式Ⅰ所示：

4.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述羟基吡啶酮的结构式如式Ⅱ所示：

5.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，以所述光刻胶组合物总固含量为100％计，所述含有醚键的三聚氰胺树脂的添加量为2％-40％，所述羟基吡啶酮的添加量为0.1％-...

【技术特征摘要】

1.一种光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物包括如下组分：酚醛树脂、光产酸剂、粘附性增强剂和溶剂；

2.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物不包括光敏剂。

3.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述含有醚键的三聚氰胺树脂的结构式如式ⅰ所示：

4.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述羟基吡啶酮的结构式如式ⅱ所示：

5.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，以所述光刻胶组合物总固含量为100％计，所述含有醚键的三聚氰胺树脂的添加量为2％-40％，所述羟基吡啶酮的添加量为0.1％-10％，所述酚醛树脂的添加量为55％-95％，所述光产酸剂的添加量为0.001％-5％；

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉婧，吴世泰，贺峥杰，
申请(专利权)人：天津久日半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：