一种掩膜版霉点抑制方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜版霉点抑制方法，涉及掩膜版清洗方法领域，包括采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移。本发明专利技术通过采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移，掩膜版表面钠离子含量降低到了每平方厘米1×10<supgt;‑7</supgt;g以下，掩膜版亚表面层的钠离子含量降低到了原来的2％，相比现有技术中未经真空微波高压电场复合处理工艺处理的掩膜版表面每平方厘米钠离子含量在5×10<supgt;‑6</supgt;g以上具有显著的优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及掩膜版清洗方法领域，具体涉及一种掩膜版霉点抑制方法。

技术介绍

1、掩膜版在在运输过程中，无论是航空运输还是陆运，到达目的地后，部分掩膜版在有图形的一面，整个表面或部分区域会生长出密集的直径为0.3-3um之间的不透光点状结晶，同时在储存和使用过程中也会生长出大量不透光点状结晶，在光学显微镜下观察类似发霉现象，本专利中称之为霉点，这种霉点在用户曝光后会形成大量缺陷。

2、为了解决上述问题，现有技术使用改变清洗工艺以及高温烘干的方式来抑制霉点生长，采用表面活性剂对掩膜版进行出货前清洗以及使用烘干箱对掩膜版进行烘烤，技术方案为：表面活性剂清洗-aoi扫描-高温烘干--打包，缺点在于掩膜版处理后：处理后运输过程不会产生霉点，但在长期存储和使用过程中由于接触到空气中水分，仍然产生了霉点，影响了使用寿命；高温烘干工艺处理时间过长，达到了210分钟，对于生产效率是一个巨大的挑战；处理后发现部分掩膜版受到热风循环带来的灰尘微粒污染，无法达到洁净度标准，造成掩膜版损失；高温烘干工艺最高温度达到200摄氏度以上，所以高温处理后发现部分掩膜版因为应力本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，包括采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移。

2.根据权利要求1所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，S2中真空微波高压电场复合环境的条件包括真空度为18～22Pa；微波频率为2～3GHz，功率为0.8～1.2KW；电极电压为13～17KV，环境温度低于60℃，复合环境处理时间为4～6min。

4.根据权利要求3所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，S2中采用的仪器为加装高压电极的微波真空干燥箱，所述...

【技术特征摘要】

1.一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，包括采用真空微波高压电场环境将掩膜版亚表面层的钠离子进行向掩膜版内部迁移。

2.根据权利要求1所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，s2中真空微波高压电场复合环境的条件包括真空度为18～22pa；微波频率为2～3ghz，功率为0.8～1.2kw；电极电压为13～17kv，环境温度低于60℃，复合环境处理时间为4～6min。

4.根据权利要求3所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，s2中采用的仪器为加装高压电极的微波真空干燥箱，所述加装高压电极的微波真空干燥箱用于在其内部放置片掩膜版后对掩膜版进行处理，当所述掩膜版在真空微波高压电场复合环境下进行处理时，掩膜版上有图形的一面朝向电极的正极。

5.根据权利要求4所述的一种掩膜版霉点抑制方法，其特征在于，所述加装高压电极的微...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅云扬，孙多卫，郑宇辰，
申请(专利权)人：成都路维光电有限公司，
类型：发明
国别省市：