【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种拼接曝光方法、阵列基板和电子设备。
技术介绍
1、在显示面板的制作过程中，需要通过掩膜版将所需的图案制作到显示面板上，当显示面板的尺寸大于掩膜板的尺寸时，无法通过单次曝光覆盖整个显示面板。一种克服掩膜板尺寸限制的方法是采用拼接曝光，即将显示面板划分成若干重复的单元区和非重复的单元区，将掩膜版上设置有遮光带的一个子单元与显示面板上的一个单元区对应，然后对面板的每个单元区分别进行曝光，最终得到完整的面板。
2、然而，对于需要通过拼接曝光才能形成一个完整的有效显示区(aa区，activearea)的显示面板，在一些情况下，曝光区拼接缝的位置正好在与曝光边不平行的倾斜走线附近，或者有走线跨越曝光边。理想情况下，两个曝光区的拼接处无需特殊设计，分别曝光即可形成完整无缺陷的图形。然而，由于不同的曝光区之间对位精度的限制，很容易导致曝光边附近的走线线宽变细，甚至导致相邻导电膜层走线的误连接，进而导致显示不良。而且，由于光的衍射和曝光机拼接对位精度、套刻精度等限制，曝光区边缘处形成的图形会更模糊，往往需...
【技术保护点】
1.一种拼接曝光方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的拼接曝光方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的拼接曝光方法，其特征在于，所述第二预设曝光区拼接缝与所述第二膜层的第二预设图形的边界之间的夹角不小于第二预设角度。
4.根据权利要求3所述的拼接曝光方法，其特征在于，所述第二预设曝光区拼接缝与所述第二预设图形的边界在所述第二膜层内相交。
5.根据权利要求1所述的拼接曝光方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的拼接曝光方法，其特征在于，所述第一膜层的第一预设曝光区拼接缝与所述...
【技术特征摘要】
1.一种拼接曝光方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的拼接曝光方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的拼接曝光方法，其特征在于，所述第二预设曝光区拼接缝与所述第二膜层的第二预设图形的边界之间的夹角不小于第二预设角度。
4.根据权利要求3所述的拼接曝光方法，其特征在于，所述第二预设曝光区拼接缝与所述第二预设图形的边界在所述第二膜层内相交。
5.根据权利要求1所述的拼接曝光方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的拼接曝光方法，其特征在于，所述第一膜层的第一预设曝光区拼接缝与所述第三膜层的第三预设曝光区拼接缝位于所述目标多膜层结构的同一最小重复单元内。
7.根据权利要求1所述的拼接曝光方法，其特征在于，所述第一预设曝光区拼接缝完全位于所述第一膜层的预设膜层实体区域；或
8.一种阵列基板，其特征在于，通过利用如权利要求1至7中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：于志强，武晓娟，冯大伟，柳峰，王家星，段金帅，王宁，侯丹星，陈翠玉，尹晓峰，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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