【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种数据擦除系统及方法，尤其涉及一种快闪存储器数据擦除系统及 方法。
技术介绍
快闪存储器(Flash memory)是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型非 易失性半导体存储器，它结合了以往EPR0M结构简单、密度高和EPR0M在系统的电可擦除性 的一些优点，实现了高密度、低成本和高可靠性。目前，大多数通讯装置采用了快闪存储器做为存储介质。所述快闪存储器包括 多个固定大小的区块，所述区块大小通常为128bytes、64bytes、32bytes、16bytes或者 Sbytes，在对快闪存储器进行擦除时是以所述区块为单位进行擦除。正确擦除后的快闪存 储器处于正常状态可写入新的数据，并且写入的数据格式正确，可以被正确读取。但是，当 在擦除过程中出现异常，例如通讯装置突然断电，则会造成擦除后的区块处于错误状态 不能写入新的数据；或者，可以写入新的数据，但是写入后的数据格式错误，不能被正确读 取。专利技术数据鉴于以上数据，有必要提供一种快闪存储器数据擦除系统，可以对快闪存储器进 行多次擦除，使擦除后的快闪存储器处于正常状态。此外，还有必要提供一种...
【技术保护点】
一种快闪存储器数据擦除系统，该系统运行于安装有快闪存储器的通讯装置中，其特征在于，该系统包括：初始化模块，用于当需要对该快闪存储器进行数据擦除时，设置该快闪存储器中区块的当前擦除次数和最大擦除次数，并初始化当前擦除次数值为０；擦除模块，用于对该快闪存储器中需进行数据擦除的一个区块进行一次擦除，并将当前擦除次数值加１；设置模块，用于将该进行擦除后的区块的第一个位元设置为０；判断模块，用于当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为１时，判断是否继续擦除该快闪存储器的其他区块；及提示模块，用于当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为１，并且该区块的当前擦除次数值等...
【技术特征摘要】
一种快闪存储器数据擦除系统，该系统运行于安装有快闪存储器的通讯装置中，其特征在于，该系统包括初始化模块，用于当需要对该快闪存储器进行数据擦除时，设置该快闪存储器中区块的当前擦除次数和最大擦除次数，并初始化当前擦除次数值为0；擦除模块，用于对该快闪存储器中需进行数据擦除的一个区块进行一次擦除，并将当前擦除次数值加1；设置模块，用于将该进行擦除后的区块的第一个位元设置为0；判断模块，用于当该擦除后的区块中第一个位元以外的其他位元都为1时，判断是否继续擦除该快闪存储器的其他区块；及提示模块，用于当该擦除后的区块中除了第一个位元以外的其他位元不全为1，并且该区块的当前擦除次数值等于最大擦除次数值时，提示用户该快闪存储器出现异常。2.如权利要求1所述的快闪存储器数据擦除系统，其特征在于，所述区块的第一个位 元为0，则表示该区块处于可被写入数据的状态。3.如权利要求1所述的快闪存储器数据擦除系统，其特征在于，所述区块中第一个位 元以外的其他位元都为1，则表示该区块处于正确格式的状态。4.如权利要求1所述的快闪存储器数据擦除系统，其特征在于，所述最大擦除次数值 为3。5.一种快闪存储器数据擦除方法，应用于安装有快闪存储器的通讯装置中，其特征在 于，该方法包括如下步骤(a)当需要对快闪存储器进行数据擦除时，设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈纪宪，
申请(专利权)人：深圳富泰宏精密工业有限公司，奇美通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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