【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体式气体传感器。
技术介绍
1、以往，已知有一种具备由氧化物半导体构成的气体感测层的半导体式气体传感器(例如参照专利文献1)。
2、这种半导体式气体传感器以如下方式被使用：通过将气体感测层加热至几百度的温度，使气体感测层中的电子被吸附于气体感测层表面的氧夺走而成为在气体感测层难以流过电流的状态。在该状态下，当气体感测层暴露于丙酮、一氧化碳等还原性气体时，还原性气体与气体感测层表面的氧反应，被吸附氧捕获的电子返回至气体感测层，成为电流容易流过气体感测层的状态。半导体式气体传感器能通过测定气体感测层的电阻值的变化来进行气体的感测。
3、在专利文献1的气体传感器中，在绝缘性的基板的一方的面形成有加热器和与加热器分离的一对电极，在加热器和电极的形成区域形成有气体感测层。然而，存在如下问题：由于加热器与电极分离地配置，因此来自加热器的热向电极间的气体感测层的传递效率低，为了将电极间的气体感测层加热至所期望的温度，需要对基板整体进行加热。
4、现有技术文献
5、专利文献
<...【技术保护点】
1.一种半导体式气体传感器，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体式气体传感器，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体式气体传感器，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体式气体传感器，其中，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体式气体传感器，其中，
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体式气体传感器，其中，
【技术特征摘要】
1.一种半导体式气体传感器，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体式气体传感器，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体式气体传感器，其中，
4.根据权利要求1至...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩濑大辉，森涉，杉浦健，儿岛辉俊，
申请(专利权)人：光驰股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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