【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别涉及一种高压发光二极管芯片的检测方法、装置及设备。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于背光、照明、景观等各个光源领域。传统led芯片是在大电流低电压下工作，高压led芯片一般由多个子芯片串联而成，且在小电流高电压下工作。与传统led芯片相比，高压led芯片具有封装成本低、暖白光效高、驱动电源效率高、线路损耗低等优势。
2、相关技术中，高压led芯片的检测方法包括：采用探针连接高压led芯片的电极，并通过探针向高压led芯片中通入电信号对高压led芯片的各项光电性能进行测试。根据各项测试数据(例如，发光强度、波长和工作电压等)判断高压led芯片是否存在漏电缺陷。
3、然而，由于高压led芯片中各个子芯片之间一般通过深刻蚀和桥接工艺进行串联，仅两端的子芯片设置有电极，因此上述检测方法仅能判断高压led芯片整体的漏电缺陷情况，而无法判断产生漏电缺陷的具体的子芯片的所在位置，从而难以为...
【技术保护点】
1.一种高压发光二极管芯片的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述获取高压发光二极管芯片(1)中每个子芯片(10)在紫外光照射下的光致发光强度，包括：
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，每个所述区域包括多个像素，所述根据每个所述子芯片(10)的光致发光强度，判断所述高压发光二极管芯片(1)中所述子芯片(10)是否存在漏电缺陷，包括：
4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述第一灰度图像中的各个像素的灰度值和所述标准图像中对应位置的各个像素的灰度值的差值，判断所述...
【技术特征摘要】
1.一种高压发光二极管芯片的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述获取高压发光二极管芯片(1)中每个子芯片(10)在紫外光照射下的光致发光强度，包括：
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，每个所述区域包括多个像素，所述根据每个所述子芯片(10)的光致发光强度，判断所述高压发光二极管芯片(1)中所述子芯片(10)是否存在漏电缺陷，包括：
4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述第一灰度图像中的各个像素的灰度值和所述标准图像中对应位置的各个像素的灰度值的差值，判断所述高压发光二...
【专利技术属性】
技术研发人员：过靖，薛刚，肖佳宸，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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