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本公开实施例提供了一种高压发光二极管芯片的检测方法、装置及设备，属于半导体技术领域。该检测方法包括：获取高压发光二极管芯片中每个子芯片在紫外光照射下的光致发光强度，高压发光二极管芯片包括多个子芯片，多个子芯片串联；根据每个子芯片的光致发光强...
该专利属于京东方华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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