【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的不断发展和进步，电子产品趋向小型化、高度集成化，其中的各半导体器件的特征尺寸也不断微缩。半导体器件通常包括有源区，以及限定有源区的隔离区。随着半导体器件的特征尺寸的缩小，有源区的临界尺寸的均匀性较差。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，提高有源区的临界尺寸的均匀性。
2、根据一些实施例，本申请的第一方面提供一种半导体器件，包括衬底，所述衬底设有：多个第一有源结构、隔离各所述第一有源结构的第一隔离结构、第二有源结构，以及第二隔离结构。多个所述第一有源结构均沿第一方向延伸，所述多个第一有源结构包括第一有源片段和第二有源片段；所述第二有源结构与所述第二有源片段直接接触，所述第二有源结构背离所述第二有源片段的一侧为有源边界，在所述第一有源结构延伸方向的所述第二有源结构内开设有多个第一沟槽，所述第一沟槽位于所述第二有源片段与所述有源边界之间；所述第二隔离结构...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底设有：多个第一有源结构、隔离各所述第一有源结构的第一隔离结构、第二有源结构，以及第二隔离结构；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，沿所述第一方向，相邻的两个所述第一有源片段同一端之间具有第一间距；
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述预设值等于沿所述第一方向相邻的两个所述第一有源片段之间的所述第一隔离结构长度的3％。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一有源结构延伸方向的所述第二有源结构内还开设有多个第二沟槽，所述第二沟槽位于所述有
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底设有：多个第一有源结构、隔离各所述第一有源结构的第一隔离结构、第二有源结构，以及第二隔离结构；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，沿所述第一方向，相邻的两个所述第一有源片段同一端之间具有第一间距；
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述预设值等于沿所述第一方向相邻的两个所述第一有源片段之间的所述第一隔离结构长度的3％。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一有源结构延伸方向的所述第二有源结构内还开设有多个第二沟槽，所述第二沟槽位于所述有源边界上。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二沟槽的面积为所述第一沟槽的面积的0.3-0.8倍。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一有源结构延伸方向的所述第二有源结构内还开设有多个第三沟槽，所述第三沟槽内填充有第三隔离结构，所述第三隔离结构与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：永井享浩，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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