本发明专利技术适用于太阳能电池技术领域，提供一种太阳能电池、电池组件及光伏系统，太阳能电池包括：硅基底，硅基底的表面设有P区、及N区；位于P区的第一钝化层；位于N区的第二钝化层；P型掺杂层，设于第一钝化层背离硅基底的一面，P型掺杂层包括自硅基底向远离硅基底方向依次设置的第一部分、第二部分及第三部分；N型掺杂层，设于第二钝化层背离硅基底的一面，N型掺杂层包括自硅基底向远离硅基底方向依次设置的第四部分、第五部分及第六部分；第二部分的氧浓度大于第五部分的氧浓度。本发明专利技术的太阳能电池通过提高P型掺杂层的氧浓度，可以提升P型掺杂层的钝化效果，从而提升电池效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，具体涉及一种太阳能电池、电池组件及光伏系统。
技术介绍
1、太阳能电池是一种利用光生伏特效应，将光能直接转换为电能的器件。太阳能电池主要包括双面太阳能电池和背接触太阳能电池。其中，背接触太阳能电池由于其正/负电极均设计于电池的背面，相比双面太阳能电池，背接触太阳能电池的前表面彻底避免了金属栅线的遮挡，杜绝了金属栅线遮挡所带来的光学损失，可以大幅提高电池转化效率。
2、现有技术中，双面太阳能电池及背接触太阳能电池的p区设置有p型掺杂层，p区的电极与p型掺杂层接触；双面太阳能电池及背接触太阳能电池的n区设置有n型掺杂层，n区的电极与n型掺杂层接触。但是，不管是双面太阳能电池，还是背接触太阳能电池，通常没有考虑p型掺杂层及n型掺杂层的氧浓度对太阳能电池效率的影响，普遍存在p型掺杂层的氧浓度较低，p区载流子复合严重，导致p型掺杂层钝化效果差，从而影响电池效率的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种太阳能电池，旨在解决现有技术的太阳能电池存在p型掺杂层的氧浓度低，p区载流子复本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二部分的氧浓度小于所述第一部分的氧浓度，所述第一部分的氧浓度小于所述第三部分的氧浓度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第五部分的氧浓度小于所述第四部分的氧浓度，所述第四部分的氧浓度小于所述第六部分的氧浓度。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三部分的氧浓度大于所述第六部分的氧浓度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一部分的氧浓度大于所述第四部分的氧浓度。
>6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二部分的氧浓度小于所述第一部分的氧浓度，所述第一部分的氧浓度小于所述第三部分的氧浓度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第五部分的氧浓度小于所述第四部分的氧浓度，所述第四部分的氧浓度小于所述第六部分的氧浓度。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三部分的氧浓度大于所述第六部分的氧浓度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一部分的氧浓度大于所述第四部分的氧浓度。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二部分的氧浓度为2×1016～1×1021atoms/cm3；所述第五部分的氧浓度为1×1016～5×1020atoms/cm3。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二部分及所述第五部分的氧浓度均大于所述硅基底的氧浓度。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅基底的氧浓度为1×1015～1×1018atoms/cm3。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二部分包括与所述第一电极位置对应的第一电极区域、及对应非所述第一电极位置的第一非电极区域，所述第一电极区域的氧浓度大于所述第一非电极区域的氧浓度。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第五部分包括与所述第二电极位置对应的第二电极区域、及对应非所述第二电极位置的第二非电极区域，所述第二电极区域的氧浓度大于所述第二非电极区域的氧浓度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨新强，张生利，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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