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本发明适用于太阳能电池技术领域,提供一种太阳能电池、电池组件及光伏系统,太阳能电池包括:硅基底,硅基底的表面设有P区、及N区;位于P区的第一钝化层;位于N区的第二钝化层;P型掺杂层,设于第一钝化层背离硅基底的一面,P型掺杂层包括自硅基底向远...该专利属于珠海富山爱旭太阳能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海富山爱旭太阳能科技有限公司授权不得商用。
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本发明适用于太阳能电池技术领域,提供一种太阳能电池、电池组件及光伏系统,太阳能电池包括:硅基底,硅基底的表面设有P区、及N区;位于P区的第一钝化层;位于N区的第二钝化层;P型掺杂层,设于第一钝化层背离硅基底的一面,P型掺杂层包括自硅基底向远...