一种堆叠互补场效应晶体管及逻辑器件制造技术

本发明专利技术公开一种堆叠互补场效应晶体管(Complementary Field‑Effect Transistor，CFET)及其逻辑器件，包括纳米线，源极半导体，漏极半导体，沟道半导体，栅极结构和绝缘隔离介质。纳米线上分布有多个环绕柱状沟道结构半导体纳米线场效应晶体管，通过分别对其进行n型掺杂或p型掺杂形成堆叠互补场效应晶体管CFET结构，通过不同的电学连接，进而组成CMOS反相器等逻辑器件。本发明专利技术旨在提供一种由新的3D结构的堆叠互补场效应晶体管及其形成的逻辑器件。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种堆叠互补场效应晶体管及逻辑器件。

技术介绍

1、随着集成电路技术的发展，晶体管已经成为了现代电子科技的基石。为了实现更高的性能和更复杂的功能，现代高性能电路所需的晶体管数量正在急剧增加。由于芯片上所集成的晶体管数量越来越庞大，原本传统的平面cmos结构在2d平面空间利用率上已经逼近极限，这导致随着高性能电子设备所需的晶体管数量增大，芯片的面积也随之剧增，这使得芯片制造成本增加，同时，大芯片面积引起的大寄生电阻和大寄生电容使得芯片的功耗大幅上升，芯片内部信号的传递也会受到影响。

2、近年来，一种全新的空间架构，互补场效应晶体管(complementary field-effecttransistors)cfet，从全新的3d拓扑结构出发，极大的缓解了传统2d平面晶体管在尺寸缩小和功耗控制方面的挑战。基于cfet结构形成的新型逻辑器件，例如cmos反相器，垂直堆叠p型和n型晶体管，极大地减少了器件的占用面积，使得在同样的芯片面积上可以集成更多的逻辑单元，这种垂直堆叠的结构，减少了电阻和电容对晶体管的影响，可以有效的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.堆叠互补场效应晶体管,其特征在于，包括纳米线，所述纳米线至少包括N型掺杂的第一线段和P型掺杂的第二线段；第一线段、第二线段包括源极半导体、沟道半导体、漏极半导体，分别构成NMOS、PMOS；第一线段、第二线段中的源极半导体和漏极半导体呈上下分布。

2.根据权利要求1所述的堆叠互补场效应晶体管,其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的堆叠互补场效应晶体管,其特征在于，所述第一线段和第二线段之间具有绝缘隔离层。

4.根据权利要求3所述的堆叠互补场效应晶体管,其特征在于，第一线段、第二线段均具有核壳结构，沟道半导体开有接触窗口用以给包覆在内部的第一线段...

【技术特征摘要】

1.堆叠互补场效应晶体管,其特征在于，包括纳米线，所述纳米线至少包括n型掺杂的第一线段和p型掺杂的第二线段；第一线段、第二线段包括源极半导体、沟道半导体、漏极半导体，分别构成nmos、pmos；第一线段、第二线段中的源极半导体和漏极半导体呈上下分布。

2.根据权利要求1所述的堆叠互补场效应晶体管,其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的堆叠互补场效应晶体管,其特征在于，所述第一线段和第二线段之间具有绝缘隔离层。

4.根据权利要求3所述的堆叠互补场效应晶体管,其特征在于，第一线段、第二线段均具有核壳结构，沟道半导体开有接触窗口用以给包覆在内部的第一线段、第二线段引入电极；接触窗口位于与绝缘隔离层相邻处。

5.根据权利要求1或2所述的堆叠互补场效应晶体管,其特征在于，所述第一线段和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：程志渊，王浩东，张林君，张运炎，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：