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本发明公开一种堆叠互补场效应晶体管(Complementary Field‑Effect Transistor，CFET)及其逻辑器件，包括纳米线，源极半导体，漏极半导体，沟道半导体，栅极结构和绝缘隔离介质。纳米线上分布有多个环绕柱状沟道结...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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