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本申请提供一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决有源区临界尺寸均匀性差的技术问题。该半导体器件包括衬底，衬底设有多个第一有源结构、隔离各第一有源结构的第一隔离结构、第二有源结构，以及第二隔离结构；多个第一有源结构均沿第一方...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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