【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种系统及其流程，尤其是涉及一种新布局形式的立式单腔碳化硅外延系统及其工艺流程，它用于碳化硅衬底外延工艺中，它属于碳化硅外延领域。
技术介绍
1、碳化硅是典型的第三代半导体材料，具有大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率及抗辐射能力强等特性，成为制造大功率器件、高频器件、高温器件和抗辐照器件的重要半导体材料，也是国际上公认的将引领电力电子特别是大功率电力电子的最佳半导体材料。
2、碳化硅功率器件的制作主要在碳化硅单晶衬底支撑的碳化硅薄膜上进行，这一是因为碳化硅晶片的生长温度较高导致杂质含量较高，非故意掺杂较为严重，相对于薄膜其电学性能不够好，难以达到器件制作的要求，二是因为扩散掺杂对碳化硅要求的温度太高，难度太大，且直接对碳化硅晶片进行离子注入掺杂的效果远不如在外延片上取得的效果好。
3、因此，碳化硅外延是碳化硅功率器件生产流程中的关键工艺之一，相应的，碳化硅外延系统是碳化硅产业中的重要装备。
4、当前常见的水平单腔碳化硅外延系统，其碳化硅衬底在设备和外界之间采用人工上下料，...
【技术保护点】
1.一种新布局形式的立式单腔碳化硅外延系统，包括主机柜（1）、特气柜（2）、加热柜（3）、动力柜（4）、冷却水柜（5）和控制面板（8），所述主机柜（1）、特气柜（2）、加热柜（3）和动力柜（4）从前往后布置，冷却水柜（5）布置于主机柜（1）左侧，其特征在于：还包括冷却腔（6）、送料腔（7）、中转腔（9）和反应腔（10），所述主机柜（1）内布置有反应腔（10）、中转腔（9）、冷却腔（6）和送料腔（7），以中转腔（9）为中心布置反应腔（10）、冷却腔（6）和送料腔（7）组成核心腔室，主机柜（1）正前方布置用于操作设备的控制面板（8）；反应腔（10）采用垂直进气方式实现碳化...
【技术特征摘要】
1.一种新布局形式的立式单腔碳化硅外延系统，包括主机柜（1）、特气柜（2）、加热柜（3）、动力柜（4）、冷却水柜（5）和控制面板（8），所述主机柜（1）、特气柜（2）、加热柜（3）和动力柜（4）从前往后布置，冷却水柜（5）布置于主机柜（1）左侧，其特征在于：还包括冷却腔（6）、送料腔（7）、中转腔（9）和反应腔（10），所述主机柜（1）内布置有反应腔（10）、中转腔（9）、冷却腔（6）和送料腔（7），以中转腔（9）为中心布置反应腔（10）、冷却腔（6）和送料腔（7）组成核心腔室，主机柜（1）正前方布置用于操作设备的控制面板（8）；反应腔（10）采用垂直进气方式实现碳化硅外延工艺；送料腔（7）用于碳化硅衬底进出设备，采用气缸开关腔盖，并以手动方式放置碳化硅衬底；冷却腔（6）用于完成外延工艺后的衬底静置冷却。
2.根据权利要求1所述的新布局形式的立式单腔碳化硅外延系统，其特征在于：还包括万向轮，所述主机柜（1）、特气柜（2）、加热柜（3）和动力柜（4）均安装万向轮。
3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭森，边晨，
申请(专利权)人：杭州晶驰机电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。