一种N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料及其制备方法和应用，N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料的化学式为：Mg4Ta2O9:x wt％CO(NH2)2，其中，0.5≤x≤20。本发明专利技术采用二步高温固相反应法合成掺N的Mg4Ta2O9化合物，能够在空气中稳定存在，且工艺安全简单，容易控制。此外，本发明专利技术的掺N的Mg4Ta2O9XEL发光强度是Mg4Ta2O9(MTO)的1.47～2.61倍。其中Mg4Ta2O9:2wt％CO(NH2)2的XEL发光强度最高，是Mg4Ta2O9(MTO)的2.61倍，在安检、核医学成像和工业检测等领域中具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于核辐射探测闪烁发光材料，具体涉及一种n掺杂mg4ta2o9闪烁发光材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、基于安检行业对“更快的安检通行速率，更高的准确度，更低的误报率”不断增长的迫切需求，急需发展无毒环保、无潮解、综合性能更加优良(低成本、高光产额、高能量分辨率、高密度、短衰减时间、低余晖等)的安检用新一代闪烁晶体，用以替代现有含毒性元素的cdwo4和csi:tl+闪烁晶体。

2、cdwo4晶体的光产额不高，但具有余辉低的优势，主要被用在x射线激发强度高且安检通行速率超快的海关货运集装箱安检设备上。csi:tl+晶体具有光产额高的优势和余辉较长的劣势，主要被应用在x射线激发强度不高且安检通行速率较慢的火车站、机场、地铁行李安检设备上。这两种晶体都有毒性元素、不能满足新一代安检用闪烁体材料的要求。在医学成像领域中得以商用的bgo晶体及lyso晶体的余辉较长，在高速安检应用时会导致成像质量差，有“伪影”。

3、mg4ta2o9晶体的闪烁综合性能和cdwo4比较接近，但由于其体系无毒环保、掺杂改性方面的独特优势，使得其有可本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料，其特征在于，所述N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料的化学式为：Mg4Ta2O9:x wt％CO(NH2)2，其中，0.5≤x≤20。

2.根据权利要求1所述的N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料，其特征在于，所述N掺杂Mg4Ta2O9的XEL发光峰位于368～378nm，发光峰覆盖300～500nm波段，发光峰强度是Mg4Ta2O9的1.47～2.61倍，光学带隙宽度为3.586～3.745eV。

3.根据权利要求1～2所述的N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：>

4.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种n掺杂mg4ta2o9闪烁发光材料，其特征在于，所述n掺杂mg4ta2o9闪烁发光材料的化学式为：mg4ta2o9:x wt％co(nh2)2，其中，0.5≤x≤20。

2.根据权利要求1所述的n掺杂mg4ta2o9闪烁发光材料，其特征在于，所述n掺杂mg4ta2o9的xel发光峰位于368～378nm，发光峰覆盖300～500nm波段，发光峰强度是mg4ta2o9的1.47～2.61倍，光学带隙宽度为3.586～3.745ev。

3.根据权利要求1～2所述的n掺杂mg4ta2o9闪烁发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的n掺杂mg4ta2o9闪烁发光材料的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：马云峰，冯世昌，梅洋洋，潘良卫，孙鹏，陈富裕，韦甫涛，蒋毅坚，徐家跃，
申请(专利权)人：上海应用技术大学，
类型：发明
国别省市：