【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及掩膜版制造，具体涉及一种掩膜版斜线图形的补偿方法。
技术介绍
1、掩膜版图形经常会出现各种不同角度的线/缝，如45°或者135°的线/缝，由于软件对图形的处理上存在漏洞，加上在x和y方向上曝光的不对称性，不同角度斜线的线宽cd偏离目标值(即线宽cd偏差)可能不同。如图5所示，由于在x和y方向上分别存在线宽cd偏离目标值的特点，所以需要在这两个方向上分别添加cd bias x、cd bias y，以尽力减弱偏离程度，而这会导致cd error(即线宽cd偏差)的出现，随着角度q的变化，cd error也随之减弱或者增强(如图6所示，其中横坐标为角度q，纵坐标为线宽cd偏离目标值)。
2、掩模版制造过程中所需的图形实质为位图文件，位图图形的线宽可以通过卷积操作来调整，基于位图图形卷积操作的补偿方案本质上是选择不同的卷积核(kernel)。图7为使用矩形卷积核对位图图形进行卷积操作的示意图，图中左侧图形为原始位图图形，右侧图形为使用3*3均匀卷积核进行卷积操作后的图形，即通过矩形卷积核实现了斜线图形的补偿。但是，这种...
【技术保护点】
1.一种掩膜版斜线图形的补偿方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的掩膜版斜线图形的补偿方法，其特征在于：S1中构建椭圆形卷积核，并使用椭圆形卷积核对所有斜线图形进行卷积操作之前，包括：
3.根据权利要求2所述的掩膜版斜线图形的补偿方法，其特征在于：S1中构建椭圆形卷积核，并使用椭圆形卷积核对所有斜线图形进行卷积操作，包括：
4.根据权利要求1所述的掩膜版斜线图形的补偿方法，其特征在于：S2中对于第一斜线图形，在椭圆形卷积核中加入补偿量，并使用补偿后的椭圆形卷积核对第一斜线图形进行卷积操作之前，包括：
...
【技术特征摘要】
1.一种掩膜版斜线图形的补偿方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的掩膜版斜线图形的补偿方法，其特征在于：s1中构建椭圆形卷积核，并使用椭圆形卷积核对所有斜线图形进行卷积操作之前，包括：
3.根据权利要求2所述的掩膜版斜线图形的补偿方法，其特征在于：s1中构建椭圆形卷积核，并使用椭圆形卷积核对所有斜线图形进行卷积操作，包括：
4.根据权利要求1所述的掩膜版斜线图形的补偿方法，其特征在于：s2中对于第一斜线图形，在椭圆形卷积核中加入补偿量，并使用补偿后的椭圆形卷积核对第一斜线图形进行卷积操...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐兵，熊启龙，
申请(专利权)人：合肥清溢光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。