【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种版图结构和多次可编程存储器。
技术介绍
1、非易失存储器中的多次可编程存储器（multi time programmable memory，mtp）可多次进行数据的写入、读取、擦除等操作，且其采用浮栅结构，可以和cmos（complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体）或者bcd（bipolar-cmos-dmos）工艺结合，因而多次可编程存储器已成为电子设备所广泛采用的一种存储器器件。对于采用浮栅结构的mtp，其存储阵列（array）中至少会包含两种类型相反且相邻设置的阱区（well），例如是晶体管和电容器下方的阱区其类型相反且相邻设置，在对mtp做写入或擦除操作时，该两种类型相反且相邻设置的阱区之间会有较高压差，因而该两种类型相反且相邻设置的阱区之间易发生较大漏电，影响mtp可靠性。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够降低两种类型相反且相邻设置的阱区之间漏电的版图结构和多次可编程存储器。
2、第一方面，本申请提供了一种版图结构，其特征在于，包括：
3、衬底，包括p型阱区和n型阱区；其中，所述p型阱区包括第一电阻调节区和除所述第一电阻调节区以外的第一本体区，所述第一电阻调节区包括p型接触区，所述p型接触区用于连接外部第一金属线；
4、所述n型阱区包括第二电阻调节区和除所述第二电阻调节区以外的第二本体区，所述第二电阻调节区包括n型接触
5、浅沟槽隔离结构，位于所述p型阱区和所述n型阱区之间，其中，所述浅沟槽隔离结构的底部分别与所述第一电阻调节区、所述第二电阻调节区、所述第一本体区和所述第二本体区相接触；其中，位于所述浅沟槽隔离结构的底部的所述第一电阻调节区朝向所述浅沟槽隔离结构的投影面积，大于位于所述浅沟槽隔离结构的底部的所述第二电阻调节区朝向所述浅沟槽隔离结构的投影面积。
6、在其中一个实施例中，沿第一方向，所述第一电阻调节区的长度等于所述第二电阻调节区的长度。
7、在其中一个实施例中，沿第一方向，所述第一本体区位于所述第一电阻调节区的两侧，所述第二本体区位于所述第二电阻调节区的两侧。
8、在其中一个实施例中，于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区相接触，且所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区的接触面朝向所述浅沟槽隔离结构的投影的形状为直线形。
9、在其中一个实施例中，于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区相接触，且所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区的接触面朝向所述浅沟槽隔离结构的投影的形状为波浪形或者锯齿形。
10、在其中一个实施例中，所述p型阱区与所述n型阱区之间的击穿电压，和位于所述浅沟槽隔离结构的底部的所述第一电阻调节区朝向所述浅沟槽隔离结构的投影面积的大小呈正相关。
11、在其中一个实施例中，所述衬底还包括深阱区；沿垂直于所述衬底的方向，所述深阱区位于所述衬底与所述p型阱区、所述n型阱区之间。
12、在其中一个实施例中，沿第二方向，所述p型接触区与所述n型接触区位于同一直线上，所述p型接触区与对应的所述浅沟槽隔离结构之间的距离大于所述n型接触区与对应的所述浅沟槽隔离结构之间的距离。
13、在其中一个实施例中，所述第一电阻调节区除所述p型接触区以外的区域的离子掺杂浓度等于所述第一本体区的离子掺杂浓度；所述第二电阻调节区除所述n型接触区以外的区域的离子掺杂浓度等于所述第二本体区的离子掺杂浓度。
14、第二方面，本申请还提供了一种多次可编程存储器，包括如上述任一实施例提供的版图结构。
15、本申请意想不到的效果是：上述版图结构和多次可编程存储器中，衬底包括p型阱区和n型阱区，n型阱区与p型阱区相邻；p型阱区包括第一电阻调节区和除第一电阻调节区以外的第一本体区，第一电阻调节区包括p型接触区，n型阱区包括第二电阻调节区和除第二电阻调节区以外的第二本体区，第二电阻调节区包括n型接触区；因p型阱区的电阻通常大于n型阱区的电阻，通过设置位于浅沟槽隔离结构的底部的第一电阻调节区朝向浅沟槽隔离结构的投影面积，大于位于浅沟槽隔离结构的底部的第二电阻调节区朝向浅沟槽隔离结构的投影面积，便增大了p型阱区与相邻n型阱区之间漏电路径上的路径电阻，从而降低了p型阱区与相邻n型阱区之间的漏电。将上述版图结构应用于mtp中，即可降低mtp中p型阱区与相邻n型阱区之间的漏电，从而提升mtp可靠性。
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1.一种版图结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，沿第一方向，所述第一电阻调节区的长度等于所述第二电阻调节区的长度。
3.根据权利要求1或2所述的版图结构，其特征在于，沿第一方向，所述第一本体区位于所述第一电阻调节区的两侧，所述第二本体区位于所述第二电阻调节区的两侧。
4.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区相接触，且所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区的接触面朝向所述浅沟槽隔离结构的投影的形状为直线形。
5.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区相接触，且所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区的接触面朝向所述浅沟槽隔离结构的投影的形状为波浪形或者锯齿形。
6.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述P型阱区与所述N型阱区之间的击穿电压，和位于所述浅沟槽隔离结构的底部的所述第一电阻调节区朝向所述浅沟槽隔离结构的投影面
7.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述衬底还包括深阱区；沿垂直于所述衬底的方向，所述深阱区位于所述衬底与所述P型阱区、所述N型阱区之间。
8.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，沿第二方向，所述P型接触区与所述N型接触区位于同一直线上，所述P型接触区与对应的所述浅沟槽隔离结构之间的距离大于所述N型接触区与对应的所述浅沟槽隔离结构之间的距离。
9.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述第一电阻调节区除所述P型接触区以外的区域的离子掺杂浓度等于所述第一本体区的离子掺杂浓度；所述第二电阻调节区除所述N型接触区以外的区域的离子掺杂浓度等于所述第二本体区的离子掺杂浓度。
10.一种多次可编程存储器，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的版图结构。
...【技术特征摘要】
1.一种版图结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，沿第一方向，所述第一电阻调节区的长度等于所述第二电阻调节区的长度。
3.根据权利要求1或2所述的版图结构，其特征在于，沿第一方向，所述第一本体区位于所述第一电阻调节区的两侧，所述第二本体区位于所述第二电阻调节区的两侧。
4.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区相接触，且所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区的接触面朝向所述浅沟槽隔离结构的投影的形状为直线形。
5.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区相接触，且所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区的接触面朝向所述浅沟槽隔离结构的投影的形状为波浪形或者锯齿形。
6.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宁，冯玲，胡燕燕，王祖明，段丹阳，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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