【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种版图结构和多次可编程存储器。
技术介绍
1、非易失存储器中的多次可编程存储器（multi time programmable memory，mtp）可多次进行数据的写入、读取、擦除等操作，且其采用浮栅结构，可以和cmos（complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体）或者bcd（bipolar-cmos-dmos）工艺结合，因而多次可编程存储器已成为电子设备所广泛采用的一种存储器器件。对于采用浮栅结构的mtp，其存储阵列（array）中至少会包含两种类型相反且相邻设置的阱区（well），例如是晶体管和电容器下方的阱区其类型相反且相邻设置，在对mtp做写入或擦除操作时，该两种类型相反且相邻设置的阱区之间会有较高压差，因而该两种类型相反且相邻设置的阱区之间易发生较大漏电，影响mtp可靠性。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够降低两种类型相反且相邻设置的阱区之间漏电的版图结构和多次
【技术保护点】
1.一种版图结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，沿第一方向，所述第一电阻调节区的长度等于所述第二电阻调节区的长度。
3.根据权利要求1或2所述的版图结构，其特征在于，沿第一方向，所述第一本体区位于所述第一电阻调节区的两侧，所述第二本体区位于所述第二电阻调节区的两侧。
4.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区相接触，且所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区的接触面朝向所述浅沟槽隔离结构的投影的形状为直线形。
<...【技术特征摘要】
1.一种版图结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，沿第一方向，所述第一电阻调节区的长度等于所述第二电阻调节区的长度。
3.根据权利要求1或2所述的版图结构，其特征在于，沿第一方向，所述第一本体区位于所述第一电阻调节区的两侧，所述第二本体区位于所述第二电阻调节区的两侧。
4.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区相接触，且所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区的接触面朝向所述浅沟槽隔离结构的投影的形状为直线形。
5.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，于所述浅沟槽隔离结构的底部，所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区相接触，且所述第一电阻调节区与相邻的所述第二电阻调节区的接触面朝向所述浅沟槽隔离结构的投影的形状为波浪形或者锯齿形。
6.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宁，冯玲，胡燕燕，王祖明，段丹阳，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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