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本申请涉及一种版图结构和多次可编程存储器。版图结构包括：衬底，包括P型阱区和N型阱区；其中，P型阱区包括第一电阻调节区，第一电阻调节区包括P型接触区，P型接触区用于连接外部第一金属线；N型阱区包括第二电阻调节区，第二电阻调节区包括N型接触区...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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