复合CF法兰以及半导体工艺腔体制造技术

技术编号:43512102 阅读:29 留言:0更新日期:2024-11-29 17:13
本技术属于法兰技术领域,公开了一种复合CF法兰以及半导体工艺腔体,复合CF法兰包括第一法兰以及第二法兰,第一法兰能够焊接于基体的开口处,第一法兰的材质与基体的材质相同;第二法兰叠合于第一法兰的一侧,第二法兰与第一法兰同轴设置,第二法兰的材质为抗腐蚀金属,第二法兰与第一法兰固定连接;第二法兰背离第一法兰的表面设置有密封腔,密封腔内部设置有环刃,环刃与第二法兰同轴设置,环刃的刃口背离第一法兰设置。本技术的复合CF法兰,选用跟基体的材质相同的第一法兰稳定焊接于基体上,同时利用抗腐蚀金属制成的第二法兰提升复合CF法兰的耐腐蚀性能,大幅提升了复合CF法兰的工作稳定性,确保超高真空系统正常运行。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及法兰,尤其涉及一种复合cf法兰以及半导体工艺腔体。


技术介绍

1、cf法兰,即conflat法兰,是一种可拆卸的,能承受高温烘烤的金属静密封法兰,部分cf法兰的内圈有凸起的锋利刀口,通过挤压无氧铜垫圈或其他软金属使其变形而达到密封真空的目的,是全金属材料的密封方式,被广泛应用于超高真空系统中,用于连接和密封不同部件,例如真空室、阀门、泵等。

2、当前超高真空系统中的密封仓、罐体或者管道等基体的内部形成工艺腔体,大量的基体为铝材质,cf法兰用于超高真空系统中时,cf法兰需要通过焊接的方式连接于基体的开口处,由于cf法兰需要与基体内部的工艺气体接触,为了保证cf法兰的耐腐蚀性能,cf法兰一般采用不锈钢材质。

3、由于不锈钢和铝的化学性质和物理特性不同,若要将不锈钢材质的cf法兰与铝材质的基体进行焊接,在焊接前需要材料进行去除氧化物和油污等处理,在焊接过程中不仅要精确掌控温度和热量,还需要用铝钎料等焊接材料,导致焊接较为不便;且cf法兰与基体的焊接处需承受较大的压力,超高真空系统在使用过程中,cf法兰与基体的焊接处容易出现焊接失效的情况,导致cf法兰与基体的连接不可靠,具有一定的生产隐患。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种复合cf法兰以及半导体工艺腔体,以提升cf法兰与基体连接的可靠性,提升cf法兰工作的稳定性。

2、为达此目的,本技术采用以下技术方案:

3、复合cf法兰,所述复合cf法兰包括:

4、第一法兰,所述第一法兰能够焊接于基体的开口处,所述第一法兰的材质与所述基体的材质相同;以及

5、第二法兰,所述第二法兰叠合于所述第一法兰的一侧,所述第二法兰与所述第一法兰同轴设置,所述第二法兰的材质为抗腐蚀金属,所述第二法兰与所述第一法兰固定连接;

6、所述第二法兰背离所述第一法兰的表面设置有密封腔,所述密封腔内部设置有环刃,所述环刃与所述第二法兰同轴设置,所述环刃的刃口背离所述第一法兰设置。

7、作为优选,所述环刃的径向横截面呈三角形设置,所述刃口位于三角形的顶角处。

8、作为优选,所述密封腔呈环形设置,并与所述第二法兰同轴设置。

9、作为优选,所述密封腔远离其开口的内壁上开设有密封槽,所述密封槽呈环形设置,所述密封槽位于所述环刃的外圈。

10、作为优选,所述密封槽的槽底呈弧形设置。

11、作为优选,所述第一法兰的内圈背离所述第二法兰的一侧设置有定位槽。

12、作为优选,所述定位槽呈环形设置,并与所述第一法兰同轴设置。

13、作为优选,所述第一法兰的材质为铝。

14、作为优选,所述第二法兰的材质为不锈钢。

15、半导体工艺腔体,包括腔体本体以及复合cf法兰,所述复合cf法兰焊接于所述腔体本体的开口处。

16、本技术的有益效果:

17、本技术的复合cf法兰,通过将第二法兰叠合于第一法兰,并选用跟基体的材质相同的第一法兰,从而可使第一法兰稳定焊接于基体上,使基体与第一法兰连接稳定,不易发生焊接失效等现象;同时利用抗腐蚀金属制成的第二法兰提升复合cf法兰的耐腐蚀性能,由于复合cf法兰在使用时,一般通过螺栓螺母将两个复合cf法兰进行连接,因此第一法兰和第二法兰在工作过程中始终受到螺栓螺母的锁紧力,不易产生连接失效,导致第一法兰和第二法兰分离,因此大幅提升了复合cf法兰的工作稳定性,确保超高真空系统正常运行。

18、本技术的半导体工艺腔体,通过在腔体本体的开口处焊接复合cf法兰,使得腔体本体与复合cf法兰连接稳定,提升半导体工艺腔体工作的稳定性。

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【技术保护点】

1.复合CF法兰,其特征在于,所述复合CF法兰包括:

2.根据权利要求1所述的复合CF法兰,其特征在于,所述环刃(3)的径向横截面呈三角形设置,所述刃口(31)位于三角形的顶角处。

3.根据权利要求1所述的复合CF法兰,其特征在于,所述密封腔(21)呈环形设置,并与所述第二法兰(2)同轴设置。

4.根据权利要求1所述的复合CF法兰,其特征在于,所述密封腔(21)远离其开口的内壁上开设有密封槽(22),所述密封槽(22)呈环形设置,所述密封槽(22)位于所述环刃(3)的外圈。

5.根据权利要求4所述的复合CF法兰,其特征在于,所述密封槽(22)的槽底呈弧形设置。

6.根据权利要求1所述的复合CF法兰,其特征在于,所述第一法兰(1)的内圈背离所述第二法兰(2)的一侧设置有定位槽(11)。

7.根据权利要求6所述的复合CF法兰,其特征在于,所述定位槽(11)呈环形设置,并与所述第一法兰(1)同轴设置。

8.根据权利要求1所述的复合CF法兰,其特征在于,所述第一法兰(1)的材质为铝。

9.根据权利要求1所述的复合CF法兰,其特征在于,所述第二法兰(2)的材质为不锈钢。

10.半导体工艺腔体,包括腔体本体,其特征在于,还包括如权利要求1-9任一项所述的复合CF法兰,所述复合CF法兰焊接于所述腔体本体的开口处。

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【技术特征摘要】

1.复合cf法兰,其特征在于,所述复合cf法兰包括:

2.根据权利要求1所述的复合cf法兰,其特征在于,所述环刃(3)的径向横截面呈三角形设置,所述刃口(31)位于三角形的顶角处。

3.根据权利要求1所述的复合cf法兰,其特征在于,所述密封腔(21)呈环形设置,并与所述第二法兰(2)同轴设置。

4.根据权利要求1所述的复合cf法兰,其特征在于,所述密封腔(21)远离其开口的内壁上开设有密封槽(22),所述密封槽(22)呈环形设置,所述密封槽(22)位于所述环刃(3)的外圈。

5.根据权利要求4所述的复合cf法兰,其特征在于,所述密封槽(22)的槽底呈弧形设置...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭卫强王梦蝶
申请(专利权)人:昆山新莱洁净应用材料股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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