半导体结构及其制备方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。其中，半导体结构包括：基底；第一电容电极，位于基底上，且沿第一方向延伸；第二电容电极，至少包括第一电极，第一电极沿第二方向贯穿于第一电容电极内部，且同一第一电容电极内具有沿第一方向排列的多个第一电极，第二方向与第一方向相交；电容介质层，至少包括第一电容介质层，第一电容介质层位于第一电极与第一电容电极之间。本公开实施例可以通过提高第一电极密度，从而实现电容器的电容值的提高。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器。dram内的存储单元通常利用电容器存储电荷来实现二进制数据存储。

2、随着半导体技术的发展，人们对器件性能的要求越来越高，现有的dram内的电容器的电容值仍有待提高。

技术实现思路

1、基于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法。

2、一方面，本公开提供了一种半导体结构，包括：

3、基底；

4、第一电容电极，位于所述基底上，且沿第一方向延伸；

5、第二电容电极，至少包括第一电极，所述第一电极沿第二方向贯穿于所述第一电容电极内部，且同一所述第一电容电极内具有沿第一方向排列的多个所述第一电极，所述第二方向与所述第一方向相交；

6、电容介质层，至少包括第一电容介质层，所述第一电容介质层位于所述第一电极与所述第一电容电极之间。

7、在其中一个实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括沿所述第二方向叠设置的至少两层所述第一电容电极，相邻层所述第一电容电极之间设有隔离层，所述第一电极沿所述第二方向延伸，且贯穿所述至少两层第一电容电极。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电容电极还包括第二电极，所述电容介质层包括第二电容介质层，所述第二电容介质层沿第一方向延伸，且连接同一所述第一电容电极层组内的各层第一电容电极层，所述第二电极位于所述第二电容介质层远离所述第一电...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括沿所述第二方向叠设置的至少两层所述第一电容电极，相邻层所述第一电容电极之间设有隔离层，所述第一电极沿所述第二方向延伸，且贯穿所述至少两层第一电容电极。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电容电极还包括第二电极，所述电容介质层包括第二电容介质层，所述第二电容介质层沿第一方向延伸，且连接同一所述第一电容电极层组内的各层第一电容电极层，所述第二电极位于所述第二电容介质层远离所述第一电容电极层组的侧壁。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极和所述第二电容介质层填满沿第三方向相邻的所述第一电容电极层组之间的区域。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电容电极与所述第一电容介质层之间还设有电极种子层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄猛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：