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半导体结构及其制备方法技术
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文档序号:43503479
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本公开提供一种半导体结构及其制备方法。其中,半导体结构包括:基底;第一电容电极,位于基底上,且沿第一方向延伸;第二电容电极,至少包括第一电极,第一电极沿第二方向贯穿于第一电容电极内部,且同一第一电容电极内具有沿第一方向排列的多个第一电极,第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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