具有远程感测支持的基于线性比率式金属电阻器的温度传感器制造技术

本文的实施例涉及用于半导体器件的温度感测电路。该电路具有远程温度感测元件(RTSE)，该RTSE包括在衬底的前侧或后侧上的金属层中形成的金属热敏电阻器。金属热敏电阻器可以是蛇形或螺旋形的。RTSE与另一位置处(例如，在衬底上)的单独的感测电路通信。RTSE还可以包括在堆叠体的相邻电介质层中或在感测电路内的薄膜电阻器(TFR)。RTSE在相对端被交替驱动，以抵消电源变化的影响。从金属热敏电阻器与TFR之间的一点处获得表示感测到的温度的输出电压，以供模数转换器处理。

【技术实现步骤摘要】

本申请总体上涉及计算设备的领域，并且更具体地涉及计算设备中的温度传感器。

技术介绍

1、诸如台式个人计算机(pc)和膝上型计算机或其他移动设备之类的计算设备包括许多耗电组件。这些组件包括中央处理单元(cpu)或其他处理器、其他内部集成电路和存储器电路。这些组件在操作时变热。因此，可以在计算设备中使用温度传感器来监视温度并在温度超过限制时进行调整，例如，降低时钟速度。这有助于优化性能和可靠性。然而，在获得计算设备中感兴趣位置处的温度的准确测量方面仍然存在各种挑战。

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属热敏电阻器是蛇形或螺旋形的。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述薄膜电阻器位于所述电介质层中的选定电介质层中，并且所述选定电介质层与所述选定金属层相邻。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述金属热敏电阻器在所述堆叠体中与所述薄膜电阻器重叠。

5.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述薄膜电阻器位于所述感测电路中。

6.根据权利要求1或2所述的装置，其中，为了从所述金属热敏电阻器获得所述温度数据，所述感测电路用于：交替地向所述金属热敏电阻器的一端和所...

【技术特征摘要】

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属热敏电阻器是蛇形或螺旋形的。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述薄膜电阻器位于所述电介质层中的选定电介质层中，并且所述选定电介质层与所述选定金属层相邻。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述金属热敏电阻器在所述堆叠体中与所述薄膜电阻器重叠。

5.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述薄膜电阻器位于所述感测电路中。

6.根据权利要求1或2所述的装置，其中，为了从所述金属热敏电阻器获得所述温度数据，所述感测电路用于：交替地向所述金属热敏电阻器的一端和所述薄膜电阻器的一端施加电压，并且从一点处对来自所述金属热敏电阻器的输出电压进行采样，所述一点与所述金属热敏电阻器和所述薄膜电阻器串联并且在所述金属热敏电阻器和所述薄膜电阻器之间。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述感测电路用于交替地将经采样的输出电压提供给模数转换器作为输入电压以及作为参考电压。

8.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述感测电路包括斜率修整电路系统，以调整温度到码的斜率。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述斜率修整电路系统包括一个或多个可调薄膜电阻器。

10.根据权利要求8或9所述的装置，其中，所述斜率修整电路系统包括用于粗调的第一可调薄膜电阻器和用于微调的第二可调薄膜电阻器。

11.一种装置，包括：

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述远程温度感测元件包括位于所述多个金属层中...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·E·杜阿尔特，A·卡尔，S·贾扬塔约格勒卡尔，Y·李，J·S·艾尔斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：