【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件和功率器件应用领域。具体地，本专利技术涉及用于功率器件应用的氮化镓(gallium nitride，gan)技术。
技术介绍
1、gan技术用于功率、射频(radio frequency，rf)和led应用等的一个关键步骤是适当活化器件中的掺杂剂元素，因此能够形成n型和p型高掺杂区，最终能够形成p-n结。在gan等宽带隙技术中，形成p型高掺杂区尤其困难。第一个原因是受体的能级与价带边缘相距甚远。例如，镁通常用于gan中的p型掺杂，其活化能在170mev至200mev的范围内。第二个原因是聚集体的复杂形成阻碍了掺杂剂的高效活化。人们认为，一种主要机制是形成mg-h复合物。这些复合物阻碍镁进入置换晶格结点。深沟槽中掺杂剂的高效活化对于未来所有采用gan技术的垂直和半垂直功率mosfet都具有重要意义。除了工艺流程的细节外，成功实施的一个关键因素是深沟槽内的p型gan层被完全活化，例如，掺杂剂元素(在这种情况下是mg)被适当活化。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种用...
【技术保护点】
1.一种半导体器件(100)，其特征在于，所述半导体器件(100)包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件(100)，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件(100)，其特征在于，
4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件(100)，其特征在于，
5.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件(100)，其特征在于，
6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件(100)，其特征在于，
7.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件(100)，其特征在于，
8.根据上述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件(100)，其特征在于，所述半导体器件(100)包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件(100)，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件(100)，其特征在于，
4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件(100)，其特征在于，
5.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件(100)，其特征在于，
6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件(100)，其特征在于，
7.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件(100)，其特征在于，
8.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件(100)，其特征在于，<...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉尔伯托·库拉托拉，
申请(专利权)人：华为数字能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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