温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种半导体器件(100)，包括：半导体衬底(110)；形成于所述半导体衬底(110)上方的氮化铝镓(Aluminum Gallium‑Nitride，AlGaN)背势垒层(121)；形成于所述AlGaN背势垒层(121)上的GaN...
该专利属于华为数字能源技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为数字能源技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。