一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构制造技术

一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构，属于微电子器件封装技术领域。在多层陶瓷基板的顶面制作第一平底凹坑底部，在第一平底凹坑底部制作多个第二平底凹坑底部，将第一平底凹坑底部作为布线层，在第一平底凹坑底部制作金属布线层及小功率表贴式电子元器件、小功率半导体芯片的焊接区，将第二平底凹坑底部作为芯片层，在第二平底凹坑底部制作芯片焊接区及布线金属层，在多层陶瓷基板的背面制作引脚金属层，组装小功率表贴式电子元器件及半导体芯片，进行气密性封盖。解决现有技术中采用分立器件搭建驱动电路造成封装外壳大、集成功率密度低、抗干扰能力弱、可靠性差的问题。广泛用于各类高可靠性航天、航空、汽车电子等领域。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微电子器件封装，进一步来说涉及功率集成模块陶瓷封装，具体来说，涉及一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构。

技术介绍

1、现有大功率场效应晶体管驱动模块用于后级电路驱动时，要求驱动模块抗干扰能力强、驱动电流大，更多采用分立器件搭建驱动电路，产品封装外壳大、集成度低、抗干扰能力弱、可靠性差。在pcb板中占板面积大，不符合装备小型化的发展要求。而集成场效应晶体管驱动电路芯片，由于其集成在一颗芯片上，线条细、抗干扰能力弱、驱动功率达不到应用要求。

2、有鉴于此，特提出本技术。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题是：解决现有技术中采用分立器件搭建驱动电路，产品封装外壳大、集成度低、产品功率密度低、抗干扰能力弱、可靠性差的问题。

2、本技术的专利技术构思是：根据大功率场效应晶体管驱动电路的电路结构，采用ltcc多层陶瓷制作工艺制作多层陶瓷基板（陶瓷底座本体）1，将多层陶瓷基板的顶面镂空设定的深度，形成环形边框2及第一平底凹坑底部9，在环形边框2上焊接封口环4，在第一平底凹坑底部9本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构，其特征在于, 包括：

2.如权利要求1所述的一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构，其特征在于： 所述第一平底凹坑（7）和第二平底凹坑（8）内均制作有内电极，内电极通过导电柱与外电极连接。

3.如权利要求1所述的一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构，其特征在于：所述封口环（4）与环形边框（2）采用钎焊方式进行气密性连接。

4.如权利要求1所述的一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构，其特征在于：内外电极均为镀金层。

5.如权利要求1所述的一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构，其特征在于：所述导电柱一端和...

【技术特征摘要】

1.一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构，其特征在于, 包括：

2.如权利要求1所述的一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构，其特征在于： 所述第一平底凹坑（7）和第二平底凹坑（8）内均制作有内电极，内电极通过导电柱与外电极连接。

3.如权利要求1所述的一种场效应晶体管驱动电路模块封装结构，其特征在于：所述封口环（4）与环形边框（2）采用钎焊方式进行气密性连接。

4.如权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：马路遥，陆浩宇，王曾，杨超平，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：新型
国别省市：