【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器，且尤其涉及一种静态随机存取存储器。
技术介绍
1、静态随机存取存储器具有快速操作及低耗电的特性，且相较于动态随机存取存储器，静态随机存取存储器在设计及制造上较为简单。因此，静态随机存取存储器被广泛的应用于电子产品中。然而，如何进一步地缩小静态随机存取存储器所占用的面积，并提升静态随机存取存储器的电性性能(electrical performance)为目前持续努力的目标。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种静态随机存取存储器，可以具有较小的尺寸，减少芯片占用面积。此外，可以用于高速开关应用，且具有较佳的电性。
2、根据本专利技术的实施例，一种静态随机存取存储器(sram)包括第一存储器单元。所述第一存储器单元包括：第一下拉晶体管、第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第二下拉晶体管分别设置在衬底的第一鳍、第二鳍、第三鳍与第四鳍的第一段上的。所述第一存储器单元还包括第一二极管以及第二二极管。所述第一二极管包括第一导电特征，与所述第一鳍的所述第一段的第一端的...
【技术保护点】
1.一种静态随机存取存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中所述第一二极管着陆在第一扩散阻断结构上。
3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器，还包括第二存储器单元，其中所述第一扩散阻断结构位于所述第一存储器单元与所述第二存储器单元之间。
4.根据权利要求3所述的静态随机存取存储器，其中所述第一导电特征还与所述第一鳍的第二段的第一端的顶面与多个上侧壁接触。
5.根据权利要求4所述的静态随机存取存储器，其中所述第一导电特征包括第一金属接触件与第一阻障层，所述第一金属接触件位于所述第一阻
【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中所述第一二极管着陆在第一扩散阻断结构上。
3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器，还包括第二存储器单元，其中所述第一扩散阻断结构位于所述第一存储器单元与所述第二存储器单元之间。
4.根据权利要求3所述的静态随机存取存储器，其中所述第一导电特征还与所述第一鳍的第二段的第一端的顶面与多个上侧壁接触。
5.根据权利要求4所述的静态随机存取存储器，其中所述第一导电特征包括第一金属接触件与第一阻障层，所述第一金属接触件位于所述第一阻障层上。
6.根据权利要求4所述的静态随机存取存储器，其中所述第一扩散阻断结构分隔所述第一鳍的所述第一段与所述第二段，分隔所述第二鳍的所述第一段与第二段，分隔所述第三鳍的所述第一段与第二段且分隔所述第四鳍的所述第一段与第二段。
7.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中所述第二二极管着陆在第二扩散阻断结构上。
8.根据权利要求7所述的静态随机存取存储器，其中所述第二扩散阻断结构与所述第一鳍的所述第一段的第二端接触，且与所述第四鳍的所述第一段的第二端接触。
9.根据权利要求7所述的静态随机存取存储器，其中所述第二导电特征包括第二金属接触件与第二阻障层，所述第二金属接触件位于所述第二阻障层上。
10.根据权利要求7所述的静态随机存取存储器，还包括第三存储器单元，其中所述第二扩散阻断结构位于所述第一存储器单元与所述第三存储器单元之间。
11.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中所述第一导电特征与第二导电特征的第一剖面分...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈信贤，薛胜元，康智凯，李国兴，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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