瞬态抑制二极管制造技术

本技术公开了一种瞬态抑制二极管，包括：N型衬底；第一扩散区，位于N型衬底的第一表面，第一扩散区的多数载流子类型与N型衬底的多数载流子类型不同；第二扩散区，位于N型衬底的第二表面；第三扩散区，位于第一扩散区远离N型衬底的一侧，第三扩散区的多数载流子类型与第一扩散区的多数载流子类型不同；第一金属层，第一金属层位于第三扩散区远离N型衬底的一侧，且与第一扩散区接触；第二金属层，第二金属层位于第二扩散区远离N型衬底的一侧，且与第二扩散区接触。第三扩散区为N型区，第三扩散区中的磷等施主杂质可以直接与金属反应，进而生成第一金属层，提升了瞬态抑制二极管的良率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，尤其涉及瞬态抑制二极管。

技术介绍

1、二极管是最重要的电子基础元器件之一，二极管的成功制备极其重要。

2、在半导体加工工艺中，晶圆表面掺杂硼等受主杂质后，表面是不能直接和金属镍产生化学反应的，因此在n型衬底制作瞬态抑制二极管(transient voltage suppressor，简称tvs)的过程中，晶圆表面采用化学方式镀镍时，会先在表面做一次喷砂处理，使用物理的方式将晶圆的表面做的粗糙后再进行化学镀镍。

3、但是，上述方式在晶圆镀镍的过程中物理加压时用细沙轰击晶圆表面，导致被轰击表面产生细微裂纹，严重时会使器件内部产生硅裂从而引起漏电、电压等参数失效。

技术实现思路

1、本技术提供了一种瞬态抑制二极管，二极管的结构适用于化学镀镍的方式，避免物理的方式改变器件表面的粗糙度，减少器件物理失效，提升了瞬态抑制二极管的良率和可靠性。

2、根据本技术的一方面，提供了一种瞬态抑制二极管，包括：

3、n型衬底，所述n型衬底包括相对的第一表面和第二表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种瞬态抑制二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述第一合金层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一合金层的第二表面位于所述第一合金层的第一表面靠近所述N型衬底的一侧；

4.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述第三扩散区的厚度范围为1μm-1.5μm。

5.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述第三扩散区靠近所述N型衬底的表面的面积与所述第一扩散区远离所述N型衬底的表面的面积相同。

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【技术特征摘要】

1.一种瞬态抑制二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述第一合金层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一合金层的第二表面位于所述第一合金层的第一表面靠近所述n型衬底的一侧；

4.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述第三扩散区的厚度范围为1μm-1.5μm。

5.根据权利要求1所述的瞬态抑制二极管，其特征在于，所述第三扩散区靠近所述n型衬底的表面的面积与所述第一扩散区远离所述n型衬底的表面的面积相同。

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【专利技术属性】
技术研发人员：龚闯，张常军，
申请(专利权)人：安徽大鹏半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：