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本技术公开了一种瞬态抑制二极管，包括：N型衬底；第一扩散区，位于N型衬底的第一表面，第一扩散区的多数载流子类型与N型衬底的多数载流子类型不同；第二扩散区，位于N型衬底的第二表面；第三扩散区，位于第一扩散区远离N型衬底的一侧，第三扩散区的多数...
该专利属于安徽大鹏半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大鹏半导体有限公司授权不得商用。

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