【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体加工，特别涉及一种提高晶圆表面反应均匀性方法及设备。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，喷淋头作为反应腔内关键的工艺组件，其性能直接影响到晶圆表面的处理效果。在现有设备中，由于加工过程中的不到位、加工精度的限制，以及高温反应环境下热应力的影响，喷淋头容易出现各种质量缺陷，如尺寸偏差、表面粗糙度不足以及局部形变等。
2、当喷淋头存在这些缺陷时，其缺陷位置附近的喷淋效果会受到影响，导致对应区域的晶圆表面反应速率出现异常点。这些异常点会进一步破坏晶圆表面的反应均匀性，进而影响到半导体器件的性能。然而，考虑到加工出完美无缺喷淋头的难度极高，频繁更换喷淋头的成本高昂。因此，如何在使用存在缺陷的喷淋头的情况下，提升晶圆表面的反应均匀性，仍是一个重要的问题。
技术实现思路
1、本申请实施方式的目的在于提供一种提高晶圆表面反应均匀性方法及设备，能够在使用存在缺陷的喷淋头的情况下，提升晶圆表面的反应均匀性。
2、为解决上述技术问题，本申请的实施方式提供了一种提高...
【技术保护点】
1.一种提高晶圆表面反应均匀性方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高晶圆表面反应均匀性方法，其特征在于，所述形成综合反应速率分布图后，还包括：循环调整所述工艺程式，直至所述综合反应速率分布图显示所述晶圆表面的反应速率分布进一步趋于平坦。
3.根据权利要求2所述的一种提高晶圆表面反应均匀性方法，其特征在于，所述工艺程式包括反应气体的流量、反应气体的比例、反应气体的压力、所述喷淋头的转速和反应腔室的温度。
4.根据权利要求3所述的一种提高晶圆表面反应均匀性方法，其特征在于，所述通过调整工艺程式使所述晶圆表面的反应速率...
【技术特征摘要】
1.一种提高晶圆表面反应均匀性方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高晶圆表面反应均匀性方法，其特征在于，所述形成综合反应速率分布图后，还包括：循环调整所述工艺程式，直至所述综合反应速率分布图显示所述晶圆表面的反应速率分布进一步趋于平坦。
3.根据权利要求2所述的一种提高晶圆表面反应均匀性方法，其特征在于，所述工艺程式包括反应气体的流量、反应气体的比例、反应气体的压力、所述喷淋头的转速和反应腔室的温度。
4.根据权利要求3所述的一种提高晶圆表面反应均匀性方法，其特征在于，所述通过调整工艺程式使所述晶圆表面的反应速率分布趋于平坦后，还包括继续监测调整工艺程式后的所述晶圆表面形成的环状异常带的反应速率，若所述调整工艺程式后的所述晶圆表面形成的环状异常带的反应速率的数值处于预设范围内，则进入正式的工艺阶段；若数值未处于预设范围内，...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈康，王兆祥，涂乐义，梁洁，桂智谦，
申请(专利权)人：上海邦芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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