用于发光二极管芯片的互连制造技术

本公开涉及用于发光二极管芯片的互连。公开了包括发光二极管(LED)的固态照明装置，并且更具体地，公开了具有互连结构的LED芯片。LED芯片(54)被设置为包括电耦接至n型层的第一互连(44)和电连接至p型层的第二互连(30a、30b、30c)。第一互连和第二互连的配置被设置为可以通过减少LED芯片内的电流拥挤的局部区域来改进电流扩散。公开了各种配置，其包括第一互连和第二互连的共同形成的对称图案、基于其在LED芯片中的相对位置而改变的第一互连或第二互连中的某些互连的直径以及基于其距第一互连的距离而改变的第二互连的间隔。鉴于此，公开了具有改进的电流扩散以及更高的流明输出和效率的LED芯片。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及包括发光二极管(led)的固态照明装置，并且更具体地，涉及led芯片及相关方法。

技术介绍

1、诸如发光二极管(led)的固态照明装置越来越多地用于消费和商业应用两者中。led技术的进步已经导致具有长使用寿命的高效且机械稳健的光源。因此，现代led已经实现了各种新的显示应用，并且越来越多地用于一般照明应用，通常代替白炽和荧光光源。

2、led是将电能转换为光的固态装置，并且通常包括布置在相对掺杂的n型层与p型层之间的半导体材料(或有源区域)的一个或多个有源层。当跨掺杂层施加偏压时，空穴和电子被注入到一个或多个有源层中，在那里，它们重新组合以产生诸如可见光或紫外线发射的发射。有源区域可以例如由碳化硅、氮化镓、磷化镓、氮化铝和/或砷化镓基材料和/或由有机半导体材料制造。沿所有方向激发由有源区域产生的光子。

3、通常，期望以通过与输出功率相关的发射强度(例如，以每瓦特流明为单位)所测量的最高发光效率操作led。提高发射效率的实际目标是使由有源区域沿光的期望传输方向发射的光的提取最大化。led的光提取和外部量子效率可以受多个因素(本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管LED芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述多个反射层互连进一步包括：至少一个第三反射层互连，所述至少一个第三反射层互连包括小于所述第二直径的第三直径，并且所述至少一个第三反射层互连被布置为比所述至少一个第二反射层互连更远离所述至少一个n触点互连。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述至少一个n触点互连包括多个n触点互连，并且所述多个n触点互连和所述多个反射层互连跨所述LED芯片的区域共同形成对称图案。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述至少一个n触点互连包括多个n触点互连，并且所述多个n触...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管led芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述多个反射层互连进一步包括：至少一个第三反射层互连，所述至少一个第三反射层互连包括小于所述第二直径的第三直径，并且所述至少一个第三反射层互连被布置为比所述至少一个第二反射层互连更远离所述至少一个n触点互连。

3.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述至少一个n触点互连包括多个n触点互连，并且所述多个n触点互连和所述多个反射层互连跨所述led芯片的区域共同形成对称图案。

4.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述至少一个n触点互连包括多个n触点互连，并且所述多个n触点互连和所述多个反射层互连跨所述led芯片的区域共同形成非对称图案。

5.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述多个反射层互连中的反射层互连被布置为跨所述led芯片的区域彼此不均匀地间隔开。

6.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述第一直径和所述第二直径在从2微米至15微米的范围内。

7.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述至少一个n触点互连包括多个n触点互连，并且所述多个n触点互连中的每个n触点互连包括在从4微米至25微米的范围内的相同直径。

8.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述至少一个n触点互连包括具有不同直径的多个n触点互连，并且所述多个n触点互连中的每个n触点互连包括在从4微米至25微米的范围内的直径。

9.根据权利要求8所述的led芯片，其中，所述多个n触点互连中的最大直径的n触点互连被布置为比所述led芯片的中心更靠近所述led芯片的周边边缘。

10.根据权利要求8所述的led芯片，其中，所述多个n触点互连中的不同n触点互连的直径随着n触点互连的从所述led芯片的周边边缘朝向所述led芯片的中心的距离的增大而逐渐减小。

11.根据权利要求1所述的led芯片，进一步包括：

12.一种发光二极管led芯片，包括：

13.根据权利要求12所述的led芯片，其中，所述多个n触点互连中的不同n触点互连的直径随着n触点互连的从所述led芯片的周边边缘朝向所述led芯片的中心的距离的增大而逐渐减小。

14.根据权利要求12所述的led芯片，其中，所述多个n触点互连中的每个n触点互连包括在从4微米至25微米的范围内的直径。

15.根据权利要求12所述的led芯片，其中，所述多个反射层互连包括具有不同直径的反射层互连，并且所述多个反射层互连中的最大直径的反射层互连被布置为比所述多个反射层互连中的其他反射层互连更靠近所述多个n触点互连中的每个n触点互连。

16.根据权利要求12所述的led芯片，其中，所述多个n触点互连和所述多个反射层互连跨所述led芯片的区域共同形成对称图案。

17.根据权利要求12所述的led芯片，其中，所述多个n触点互连和所述多个反射层互连跨所述led芯片的区域共同形成非对称图案。

18.根据权利要求12所述的led芯片，其中，所述多个反射层互连中的反射层互连被布置为跨所述led芯片的区域彼此不均匀地间隔开。

19.根据权利要求12所述的led芯片，其中，所述多个反射层互连包括具有不同直径的反射层互连，并且所述多个反射层互连中的每个反射层互连包括在从2微米至15微米范围内的直径。

20.根据权利要求12所述的led芯片，进一步包括：

21.一种发光二极管led芯片，包括：

22.根据权利要求21所述的led芯片，进一步包括：反射结构，位于所述p型层上，其中，所述多个p触点互连包括延伸通过所述反射结构的多个反射层互连。

23.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·切克，
申请(专利权)人：科锐LED公司，
类型：发明
国别省市：