用于发光二极管装置的激光蚀刻及相关方法制造方法及图纸

公开了固态照明装置，并且更具体地公开了激光蚀刻发光二极管(LED)装置及相关方法。采用蓝宝石衬底的LED装置难以使用传统技术进行蚀刻，但激光蚀刻与蓝宝石衬底烧蚀克服了这些难题。对蓝宝石衬底的表面进行激光蚀刻可以形成光提取特征，包括形成在衬底的发光表面中或上的结构。光提取特征可以包括具有特征重复图案，其尺寸与减小的衬底厚度一起提供了倒装芯片结构的目标发射分布，诸如朗伯发射分布。在一些实施方式中，还可以使用蓝宝石衬底的激光烧蚀在LED矩阵的有源层部分之间形成沟槽以构成像素，这些像素减少了有源层部分之间的干扰。沟槽还可以填充具有光改变性质的材料以进一步优化期望发射特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及固态照明装置，并且更具体地涉及用于发光二极管(led)装置的激光蚀刻及相关方法。

技术介绍

1、在消费者应用和商业应用两者中越来越多地使用诸如发光二极管(led)的固态照明装置。led技术的进步已经带来了具有长使用寿命的高效率且机械坚固的光源。因此，现代led已经实现了各种新的显示应用，并且通常取代白炽灯和荧光光源而越来越多地用于一般照明和汽车应用。

2、led是将电能转换成光的固态装置，并且通常包括布置在相反地掺杂的n型层与p型层之间的一个或更多个半导体材料有源层(或有源区)。当在掺杂层上施加偏压时，将空穴和电子注入到一个或更多个有源层中，在该一个或更多个有源层中重新组合该空穴和电子，以生成发射，诸如可见光或紫外线发射。led芯片通常包括有源区，该有源区可以由例如碳化硅、氮化镓、磷化镓、氮化铝、砷化镓系材料和/或由有机半导体材料制作而成。由有源区生成的光子在所有方向上被激发。

3、通常，希望以尽可能最高的光发射效率操作led，这可以通过与输出功率相关的发射强度(例如，每瓦流明)来测量。提高发射效率的实际目标是最大化地提取本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管(LED)芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述第一多个光提取特征中的每个光提取特征包括小于所述第一多个光提取特征的第二多个光提取特征。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其中，所述第一多个光提取特征的宽度能够介于1μm至30μm之间。

4.根据权利要求2所述的LED芯片，其中，所述第二多个光提取特征的宽度能够介于10nm至500nm之间。

5.根据权利要求2所述的LED芯片，其中，所述第二多个光提取特征的分布是随机的。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述有源LED结构包括I...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种发光二极管(led)芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述第一多个光提取特征中的每个光提取特征包括小于所述第一多个光提取特征的第二多个光提取特征。

3.根据权利要求2所述的led芯片，其中，所述第一多个光提取特征的宽度能够介于1μm至30μm之间。

4.根据权利要求2所述的led芯片，其中，所述第二多个光提取特征的宽度能够介于10nm至500nm之间。

5.根据权利要求2所述的led芯片，其中，所述第二多个光提取特征的分布是随机的。

6.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述有源led结构包括iii族氮化物半导体材料，并且所述衬底包括蓝宝石。

7.根据权利要求2所述的led芯片，其中，所述第一多个光提取特征和所述第二多个光提取特征包括与所述衬底相同的材料。

8.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述第一多个光提取特征形成在位于所述衬底的所述第二表面上的附加层中。

9.根据权利要求8所述的led芯片，其中，所述附加层包括玻璃、氮化硅、二氧化硅和硅胶中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述预定图案包括跨所述衬底的所述第二表面均匀分布的光提取特征。

11.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述预定图案包括跨所述衬底的所述第二表面非均匀分布的光提取特征。

12.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述预定图案包括跨所述衬底的所述第二表面的线性凹槽。

13.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述预定图案包括跨所述衬底的所述第二表面的具有不均匀间距的线性凹槽。

14.根据权利要求1所述的led芯片，其中，所述预定图案包括所述衬底的所述第二表面中的具有第一密度的光提取特征的第一区域以及所述衬底的所述第二表面中的具有不同于所述第一密度的第二密度的光提取特征的第二区域。

15.根据权利要求1所述的led芯片，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·切克，戴维·苏希，科林·布莱克利，约瑟夫·G·索科尔，罗伯特·威尔科克斯，安德烈·佩尔图伊特，
申请(专利权)人：科锐LED公司，
类型：发明
国别省市：