一种倒置薄膜微带结构的TRL校准件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种倒置薄膜微带结构的TRL校准件及其制备方法，该校准件包括衬底、设于衬底上表面的第一薄膜介质层，设于第一薄膜介质层上表面的PAD接地金属层、PAD金属层和金属标准件；金属标准件的上表面设有第二薄膜介质层，第二薄膜介质层内嵌入有PAD接地通孔金属层，第二薄膜介质层上表面设有参考地金属层；PAD接地金属层通过PAD接地通孔金属层与参考地金属层连接。本发明专利技术能有效隔绝空间电磁场辐射信号对校准件的校准性能的影响，该倒置薄膜微带线传输线校准件实现太赫兹频段的S参数校准，校准精度高，适用范围广，寄生参数小，能实现高精确度的半导体太赫兹器件的校准和去嵌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子元器件及其制备方法，尤其涉及一种倒置薄膜微带结构的trl校准件及其制备方法。

技术介绍

1、目前，太赫兹电子元器件正向着更高频、高速的方向发展，也是实现超高频太赫兹电路和小型化太赫兹系统的潜在可行解决方案。随着工作频率的不断提高，传统低频元器件的建模和去嵌方法已不再适用于太赫兹元器件，而精确的太赫兹元器件特征分析及建模跟半导体元器件工艺生产线有相辅相成的关系，精确的模型可以预测器件本身的问题，从而优化生产工艺，而工艺的改进则会提高器件性能；此外，精确的器件特性预测模型又是太赫兹元器件相关电路设计的重要基础，原先基于经验和测量的设计方法已被计算机辅助设计(cad)方法所替代。而超高频率需要设计人员进行晶体管和电路系统设计时考虑更多的电路分布现象。所以太赫兹元器件在太赫兹频段的特性分析及建模处在半导体太赫兹芯片整个生产线的核心位置。在这样的背景下，精确的太赫兹元器件特性测量及分析建模变得尤为迫切。

2、太赫兹元器件特性测量及分析建模最为关键的环节就是太赫兹元器件的校准和去嵌测试，太赫兹元器件的测量及特性分析建模面临诸多挑战。频本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种倒置薄膜微带结构的TRL校准件，其特征在于，包括衬底(1)、设于衬底(1)上表面的第一薄膜介质层(2)，设于第一薄膜介质层(2)上表面的PAD接地金属层(3)、PAD金属层(4)和金属标准件；所述金属标准件的上表面设有第二薄膜介质层(8)，所述第二薄膜介质层(8)内嵌入有PAD接地通孔金属层(9)，所述第二薄膜介质层(8)上表面设有参考地金属层(10)；所述PAD接地金属层(3)通过PAD接地通孔金属层(9)与参考地金属层(10)连接。

2.根据权利要求1所述的倒置薄膜微带结构的TRL校准件，其特征在于，所述金属标准件为直通金属层(5)、开路金属层(6)、传输线金属层...

【技术特征摘要】

1.一种倒置薄膜微带结构的trl校准件，其特征在于，包括衬底(1)、设于衬底(1)上表面的第一薄膜介质层(2)，设于第一薄膜介质层(2)上表面的pad接地金属层(3)、pad金属层(4)和金属标准件；所述金属标准件的上表面设有第二薄膜介质层(8)，所述第二薄膜介质层(8)内嵌入有pad接地通孔金属层(9)，所述第二薄膜介质层(8)上表面设有参考地金属层(10)；所述pad接地金属层(3)通过pad接地通孔金属层(9)与参考地金属层(10)连接。

2.根据权利要求1所述的倒置薄膜微带结构的trl校准件，其特征在于，所述金属标准件为直通金属层(5)、开路金属层(6)、传输线金属层(7)中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的倒置薄膜微带结构的trl校准件，其特征在于，所述金属标准件为直通金属层(5)，所述直通金属层(5)的长度为200～700um，宽度为5～30um。

4.根据权利要求2所述的倒置薄膜微带结构的trl校准件，其特征在于，所述金属标准件为开路金属层(6)，所述开路金属层(6)的长度为100～400um，宽度为5～30um。

5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙岩，程伟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：