大温度梯度的单晶炉导流筒和单晶炉制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种大温度梯度的单晶炉导流筒和单晶炉；大温度梯度的单晶炉导流筒用于单晶炉，该导流筒包括外壳，外壳设置有容纳腔，容纳腔内设置有外筒和内筒；外筒的制备材料为聚丙烯腈基石墨毡、且其套设于内筒的外部，并与外壳的内壁贴合；内筒包括从下至上依次层叠设置的第一保温填充部、第二保温填充部和第三保温填充部；第一保温填充部包括黏胶基石墨毡层和聚丙烯腈基石墨毡层；第二保温填充部和第三保温填充部包括毡粉粘合填充物，第三保温填充部设置有通孔，且通孔贯穿外壳远离外筒的一侧侧壁。该大温度梯度的单晶炉导流筒能实现较大的轴向温度梯度的控制，以实现高质量的晶棒生长，并提高晶棒的生长效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种大温度梯度的单晶炉导流筒和单晶炉。

技术介绍

1、在光伏行业中，拉晶是一种常用的单晶硅的制备方法；单晶炉则是主要的生产设备。

2、相关技术提供的单晶炉需要配置导流筒，以使晶棒在导流筒的内腔中生长。

3、但是，相关技术提供的导流筒难以形成较大的轴向温度梯度，导流筒长时间使用后，保温性能会劣化，进而难以保证高质量的晶棒的生产，难以提高晶棒的生产效率，且导流筒制造成本高。

技术实现思路

1、本专利技术的目的包括提供一种大温度梯度的单晶炉导流筒和单晶炉，该大温度梯度的单晶炉导流筒可以用于单晶炉，且该大温度梯度的单晶炉导流筒能够实现较大的轴向温度梯度的控制，保温性能稳定，能够实现高质量的晶棒生长，以及提高晶棒的生长效率，且导流筒本身的制造成本更低。

2、本专利技术的实施例可以这样实现：

3、第一方面，本专利技术提供一种大温度梯度的单晶炉导流筒，包括：

4、外壳，外壳设置有容纳腔，容纳腔内设置有外筒和内筒；其中，

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大温度梯度的单晶炉导流筒，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的大温度梯度的单晶炉导流筒，其特征在于，所述第一保温填充部（220）包括至少两个填充层，至少两个所述填充层中包括第一填充层（221）和第二填充层（222）；其中，

3.根据权利要求2所述的大温度梯度的单晶炉导流筒，其特征在于，所述第二填充层（222）包括多层所述黏胶基石墨毡层（2221），多层所述黏胶基石墨毡层（2221）沿所述外壳（210）的轴向从下至上依次层叠设置，且最底层的所述黏胶基石墨毡层（2221）层叠设置于所述第一填充层（221）的上方。

4.根据权利要求2所述的大...

【技术特征摘要】

1.一种大温度梯度的单晶炉导流筒，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的大温度梯度的单晶炉导流筒，其特征在于，所述第一保温填充部（220）包括至少两个填充层，至少两个所述填充层中包括第一填充层（221）和第二填充层（222）；其中，

3.根据权利要求2所述的大温度梯度的单晶炉导流筒，其特征在于，所述第二填充层（222）包括多层所述黏胶基石墨毡层（2221），多层所述黏胶基石墨毡层（2221）沿所述外壳（210）的轴向从下至上依次层叠设置，且最底层的所述黏胶基石墨毡层（2221）层叠设置于所述第一填充层（221）的上方。

4.根据权利要求2所述的大温度梯度的单晶炉导流筒，其特征在于，所述第一保温填充部（220）还包括第一保护层（223）和第二保护层（224），所述第一保护层（223）设置在所述第二填充层（222）和所述外壳（210）的内壁之间；所述第二保护层（224）和所述第二保温填充部（230）依次层叠设置于所述第二填充层（222）的上方；

5.根据权利要求1所述的大温度梯度的单晶炉导流筒，其特征在于，所述黏胶基石墨毡层（2221）的纤维沿水平方向分布；所述聚丙烯腈基石墨毡层（2211）的纤维的平均长度为150-160μm；所述黏胶基石墨毡层（2221）和所述聚丙烯腈基石墨毡层（221...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏子涵，
申请(专利权)人：苏州晨晖智能设备有限公司，
类型：发明
国别省市：