用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法与刻蚀设备技术

本发明专利技术提供用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法与刻蚀设备。首先在衬底表面形成图案化的阻挡层，所述衬底表面存在未被阻挡层覆盖而裸露的区域，然后将所述衬底置于包含微纳米颗粒的混合液中，将声波传递至所述混合液，在声波作用下所述微纳米颗粒撞击所述裸露区域而实现该区域的刻蚀。该方法操作简单方便、无污染、成本低、可控性强，适合衬底刻蚀的大规模生产和商业化，刻蚀后的混合液可重复利用，节能环保。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成光子器件或者集成电子器件，尤其涉及用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法与刻蚀设备。

技术介绍

1、近年来随着大数据、人工智能、高速网络、量子信息等信息技术的高速发展，对具有低传输损耗、高密度集成、低调制功耗等功能的集成光子器件或者集成电子器件(记作集成光子/电子器件)产生迫切需求。发展高性能集成光子/电子器件要解决的首要问题是如何在用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀出各种微纳结构。

2、例如，铌酸锂(linbo3，ln)和钽酸锂(litao3，lt)具有优异的非线性光学效应、电光效应、声光效应、压电效应等，可以实现各种光子器件或者电子器件的片上集成，因此是用于制备高性能集成光子/电子器件的理想衬底材料，发展基于铌酸锂和钽酸锂的高性能集成光子/电子器件要解决的首要问题是如何在其表面刻蚀出各种微纳结构。

3、刻蚀是指用化学或物理方法有选择地从衬底表面去除多余材料的过程，从而形成所需的微纳图案。刻蚀是半导体微纳制造工艺中的重要步骤之一，按工艺分类，可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀是利用等离子体或高能离子束，通过图本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：所述衬底是单一材料构成的块状结构，称为晶圆，或者是多种材料层层叠构成的复合结构；

3.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：首先将所述衬底进行清洁处理，然后形成所述阻挡层；

4.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：所述液体包括水、酒精、甘油、煤油、机油、动物油中的至少一种；

5.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀...

【技术特征摘要】

1.用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：所述衬底是单一材料构成的块状结构，称为晶圆，或者是多种材料层层叠构成的复合结构；

3.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：首先将所述衬底进行清洁处理，然后形成所述阻挡层；

4.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：所述液体包括水、酒精、甘油、煤油、机油、动物油中的至少一种；

5.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：所述微纳米颗粒的粒径在微米量级或者纳米量级；

6.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：所述微纳米颗粒的硬度大于所述衬底的材料硬度；

7.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：加热所述混合液；

8.如权利要求1所述的用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法，其特征是：所述声波的振动频率为20hz-1500khz；

【专利技术属性】
技术研发人员：万青，马雨晞，乐先浩，朱一新，
申请(专利权)人：甬江实验室，
类型：发明
国别省市：