【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、压电微机械超声换能器(pmut)的制造可以与cmos半导体工艺集成。pmut可以通过mems处理来制造，并且包括处于压电电容器配置的压电层，该压电电容器配置包括在压电层的一侧上的一个电极和在压电层的另一侧上的另一电极。例如，pmut可以被配置为发送器(超声发送器)或接收器(超声接收器)。所得的集成电路可以是触摸感测集成电路，并且可以包括半导体基板(通常是硅基板)、半导体基板上的信号处理电路以及覆于半导体基板上的一个或多个pmut。可以通过将pmut电极连接到半导体基板上的信号处理电路来实现高集成度。
2、在某些用例(use case)中，上述触摸感测集成电路被处理成集成电路封装。ic封装通常在pmut的顶部包含环氧粘合剂。ic封装与具有暴露的外表面并具有内表面的覆盖层结合，ic封装通过另一粘合剂附接到该内表面。在这样的用例中，触摸感测集成电路可以用于检测诸如人的手指等指头(digit)对暴露的外表面的触摸。然而，为了获得更好的功能性和辨别力，期望一种能够同时检测触摸并测量施加力的集成电路器件。
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【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述低频机械变形是由具有100Hz或更小的重复率的激励引起的。
7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述重复率是10Hz或更小。
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述低频机械变形是由以下一种或多种引起的：触摸、按...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述低频机械变形是由具有100hz或更小的重复率的激励引起的。
7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述重复率是10hz或更小。
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述低频机械变形是由以下一种或多种引起的：触摸、按压、弯曲、扭曲、打字、敲击和捏合。
9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述低频机械变形包括所述集成电路器件的整体的变形。
10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述低频机械变形包括所述压电层沿所述压电层的法线方向的压缩和膨胀。
11.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述低频机械变形包括弹性波振荡。
12.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述低频机械变形包括所述压电层沿近似平行于所述压电层的横向方向的膨胀和/或压缩。
13.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述薄膜压电叠层还包括耦接到所述压电层的机械层。
14.根据权利要求13所述的集成电路器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐浩晏，西纳·阿克巴里，陈曼嘉，涂仲轩，迈克尔·陈，
申请(专利权)人：奥矽半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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