一种MEMS器件制备方法技术

本发明专利技术提供一种MEMS器件制备方法，它包括以下步骤：在SOI硅片（1）上设置敏感结构层(2)，在双抛硅片（4）上表面一侧制作引线结构层（9），在双抛硅片（4）下表面一侧制备一组金属PAD点（10），将双抛硅片（4）与SOI硅片（1）键合在一起。本发明专利技术结构简单，实施方便，降低器件的工艺难度、加工成本和可靠性风险，可以实现MEMS器件的批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体地说就是一种mems器件制备方法。

技术介绍

1、mems，即微电子机械系统，是一种新兴的
，它将微电子技术和机械工程相结合，制造出可以在微米级别下操作的微小机械元件，通常由集成电路、传感器、执行机构、控制电路和封装构成。mems器件具有小型化、低功耗、集成化、智能化和适于大批量生产等特点，被广泛的应用于消费电子、汽车、工控、医疗等领域具有巨大的市场前景。

2、mems器件主要由衬底结构层、敏感结构层和引线结构层组成。传统mems器件在制备过程中需要利用至少两次晶圆键合技术，将衬底层、敏感结构层和引线层相互结合在一起，而mems器件在加工过程中所需要使用的键合种类或键合次数的增加将直接增加mems器件的工艺难度、加工成本和可靠性风险，甚至减小器件本身的适用范围等。

技术实现思路

1、本专利技术就是为了克服现有技术中的不足，提供一种mems器件制备方法。

2、本申请提供以下技术方案：

3、一种mems器件制备方法，其特征在于：它包括以下步骤...

【技术保护点】

1.一种MEMS器件制备方法，其特征在于：它包括以下步骤

【技术特征摘要】

1.一种mems器件制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：何凯旋，周宁，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：