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本发明提供一种MEMS器件制备方法，它包括以下步骤：在SOI硅片（1）上设置敏感结构层(2)，在双抛硅片（4）上表面一侧制作引线结构层（9），在双抛硅片（4）下表面一侧制备一组金属PAD点（10），将双抛硅片（4）与SOI硅片（1）键合在一...
该专利属于华东光电集成器件研究所所有，仅供学习研究参考，未经过华东光电集成器件研究所授权不得商用。

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