200MHz嵌入式环行器制造技术

２００ＭＨｚ嵌入式环行器，整体为嵌入式结构，中心导体包括非互易结、分布式电感和分布式电容串联组成的匹配网络，匹配网络设置在非互易结阻抗与外接欧姆阻抗之间，非互易结和匹配网络为一体化结构。本实用新型专利技术针对集中参数环行器的缺点，提出一种采用圆盘形非互易结加上分布式电感和分布式电容匹配的方式，构成的一种一体化的中心导体，同时在整体结构设计上采用一体化的嵌入式方式，中心导体的３根引线被引到腔体外。本实用新型专利技术由于采用了一体化的中心导体和一体化的腔体，铁氧体单面镀银等措施，具有磁路闭合好，漏磁小，可靠性高，器件整体电性能好，易于批量生产等特点，可广泛应用于米波通讯和雷达整机系统中。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种环行器，应用于米波频段，主要用在雷达整机收发共用系统中，起环行和保护等作用，属于微波铁氧体非互易器件，为一种200MHz嵌入式环行器。
技术介绍
传统的200MHz的环行器设计基本上都是采用集中参数方式来进行设计，一方面是因为集中参数环行器在国内研究的相对比较早，另外它的结构体积可以做的相对比较小，环行器的中心导体由3个互成120度的电感条11，外加铁氧体12和集中参数电容电感进行匹配构成，其结构如图1所示，此结构由多块导磁材料用粘合剂和螺钉固定在腔体上，与腔体构成磁回路，一些嵌入式环行器虽然在导磁材料和腔体的连接上做了改进，但是从产品电性能角度上讲，这种集中参数环行器还是存在缺陷：1)结构内部电感电容都是手工焊接，相对可靠性差一些；2)耐功率差；3)二次谐波抑制比非常差，特别是在雷达系统中，器件的可靠性和电性能指标必须重点考虑，此种结构的环行器加工耗材大，磁路效率低，器件整体电性能指标和温度性能较差，二次谐波无法达到较高的使用要求。
技术实现思路
本技术要解决的问题是：现有环行器可靠性、耐功率性、二次谐波抑制比差，不能满足高要求的使用需求，需要一种可靠性高、电性能好的环行器。本技术的技术方案是：200MHz嵌入式环行器，包括腔体，两块表面金属化的永磁体，两片匀磁片，两片微波铁氧体，中心导体，调节片，温度补偿片，盖板，整体为嵌入式结构，中心导体包括非互易结、分布式电感和分布式电容，分布式电感和分布式电容串联组成匹配网络，匹配网络设置在非互易结阻抗与外接欧姆阻抗之间，非互易结和匹配网络为一体化结构。本技术微波铁氧体单面镀银。腔体为一体化导磁腔体，微波铁氧体为旋磁石榴石铁氧体，中心导体的非互易结为圆盘形非互易结。腔体、中心导体、匀磁片的表面镀银。本技术针对集中参数环行器的缺点，提出的一种新的设计方案，不采用以集中参数电感条构成的中心导体，取而代之的是圆盘形非互易结，再加上分布式电感和分布-->式电容匹配的方式，构成的一种一体化的中心导体，同时在整体结构设计上采用一体化的嵌入式方式，中心导体的3根引线被引到腔体外。本技术由于采用了一体化的中心导体和一体化的腔体，铁氧体单面镀银等措施，具有磁路闭合好，漏磁小，可靠性高，器件整体电性能好，易于批量生产等特点，可广泛应用于米波通讯和雷达整机系统中。附图说明图1为现有集中参数方式的中心导体示意图。图2为本技术嵌入式结构示意图。图3为本技术中心导体结构图。图4为本技术中心导体的匹配网络结构示意图。具体实施方式如图2所示，本技术包括腔体21，两块表面金属化的永磁体22，两片匀磁片23，两片微波铁氧体24，中心导体25，调节片26，温度补偿片27，盖板28，整体为嵌入式结构，中心导体25的三根引线被引到腔体21之外，中心导体25两侧依次设置微波铁氧体24、匀磁片23、永磁体22，靠近盖板28的永磁体22与盖板28之间依次设置两片调节片26与四片温度补偿片27。中心导体25的结构如图3所示，包括非互易结31、分布式电感和分布式电容，非互易结31采用圆盘形，分布式电感和分布式电容串联组成匹配网络32，如图4，匹配网络32设置在非互易结31的阻抗与外接欧姆阻抗之间，非互易结31、匹配网络32为一体化结构。匹配网络32参考准集中参数原理设计资料，具体的电感电容可以通过文献资料进行理论设计然后通过实验进行调整，由分布参数的电容和电感组成的匹配网络来代替集中参数环行器的集中参数的电容电感的匹配方式，其优点就在于体积小，可靠性高。本技术的一个实施例，外形尺寸为45*45.5*15.7mm，铁氧体φ41.5*1.5，中心导体采用0.13mm的铍青铜材料，在铁氧体区域内，用宽度2.5mm长度为10.2mm的带线实现电感部分，用约63平方毫米的面积来实现电容部分，构成匹配网络。本技术微波铁氧体24单面镀银，腔体21为一体化腔体，腔体21与盖板28通过螺纹紧固，腔体21为导磁腔体，微波铁氧体24是由旋磁石榴石铁氧体。为了进一步减少器件的正向损耗，在腔体21、中心导体25、匀磁片23的表面可以镀银。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
２００ＭＨｚ嵌入式环行器，包括腔体（２１），两块表面金属化的永磁体（２２），两片匀磁片（２３），两片微波铁氧体（２４），中心导体（２５），调节片（２６），温度补偿片（２７），盖板（２８），整体为嵌入式结构，其特征是中心导体（２５）包括非互易结（３１）、分布式电感和分布式电容，分布式电感和分布式电容串联组成匹配网络（３２），匹配网络（３２）设置在非互易结（３１）阻抗与外接欧姆阻抗之间，非互易结（３１）和匹配网络（３２）为一体化结构。

【技术特征摘要】
1、200MHz嵌入式环行器，包括腔体(21)，两块表面金属化的永磁体(22)，两片匀磁片(23)，两片微波铁氧体(24)，中心导体(25)，调节片(26)，温度补偿片(27)，盖板(28)，整体为嵌入式结构，其特征是中心导体(25)包括非互易结(31)、分布式电感和分布式电容，分布式电感和分布式电容串联组成匹配网络(32)，匹配网络(32)设置在非互易结(31)阻抗与外接欧姆阻抗之间，非互易结(31)和匹配网络(32)为一体化结构。2、根据权利要求1所述的200M...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑建春，
申请(专利权)人：南京拓邦微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]