【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体生产和制造领域，特别是涉及衬底穿孔(through-substratevias)制程中的衬底预润湿方法、装置，以及半导体加工设备。
技术介绍
1、衬底穿孔(through-substrate vias)制程是现代电子器件制造中的一种关键技术，主要用于实现三维集成电路的垂直互连。衬底穿孔制程包括硅穿孔(through-siliconvias，tsvs)、电介质穿孔(through-dielectric vias，tdvs)或玻璃穿孔(through-glassvias，tgvs)等制程，这些穿孔在不同类型的基板中形成，以实现高密度、低延迟和高性能的电连接。以常见的tsvs制程为例，可以包括以下工艺步骤：
2、刻蚀：通过例如深反应离子刻蚀(deep reactive ion etching，drie)等刻蚀工艺在衬底中刻蚀出深度可达几十微米甚至更深的孔，取决于具体器件要求，这些孔可以是通孔或盲孔，同时，这些孔可以具有超过20:1的纵横比；
3、绝缘层沉积：在通孔内壁沉积一层绝缘材料(例如氧化硅sio2...
【技术保护点】
1.一种用于衬底穿孔湿法沉积的预润湿方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物是通过使用包含氧原子或氧离子中至少一者的活性气体或等离子体来氧化所述种子层而形成的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物是通过在所述种子层上沉积所述金属氧化物而形成的。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述沉积包括化学气相沉积或原子层沉积。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所形成的金属氧化物的厚度不超过1纳米。
7.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种用于衬底穿孔湿法沉积的预润湿方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物是通过使用包含氧原子或氧离子中至少一者的活性气体或等离子体来氧化所述种子层而形成的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物是通过在所述种子层上沉积所述金属氧化物而形成的。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述沉积包括化学气相沉积或原子层沉积。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所形成的金属氧化物的厚度不超过1纳米。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：
8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所使用的光子能量小于阈值能量，所述阈值能量是根据所述衬底上的位于所述金属氧化物周围的材料的带隙能量而确定的。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：
11.一种用于衬底穿孔湿法沉积的预润湿装置，包括：
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述第一反应模块被进一步配置为使用包含氧原子或氧离子中至少一者的气体或等离子体来氧化所述衬底上的种子层以形成所述金属氧化物。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述第一反应模块...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋享金，黄俊宪，黄耀贤，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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