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本公开提供了一种用于衬底穿孔湿法沉积的预润湿方法和装置，涉及半导体生产和制造领域，尤其涉及衬底穿孔制程领域。实现方案为：在待沉积的衬底的种子层上形成金属氧化物，该种子层的至少一部分位于所述衬底的穿孔中；使用包含氢原子或氢离子中至少一者的活性...
该专利属于重庆芯联微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆芯联微电子有限公司授权不得商用。

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